增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池及制作方法，所述薄膜电池包含透明衬底、前透明导电层、第一电极修饰层、第一窗口层、第二窗口层、本征非晶硅、n型非晶硅、第二电极修饰层、背电极铝膜；同时提供了该薄膜电池的制作方法，依次包括如下步骤：通明衬底层清洗、LPCVD沉积TCO层、PECVD连续真空镀膜(第一电极修饰层、第一窗口层和第二窗口层、本征非晶硅、n型非晶硅)、清洗、溅射电极修饰层和背电极铝层，本发明专利技术采用了非晶硅薄膜的pin结构，增设了阳极修饰层a-Ge:H和阴极修饰层ZAO，同时采用双层窗口层，提高了太阳光光谱在短波和长波区的吸收，降低了吸收损耗和串联电阻，提高了开路电压和填充因子；连续成膜的方法，工艺简单，可大幅度降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜电池，特别涉及一种。
技术介绍
非晶硅太阳能电池由于可大面积、制作成本低并且与当前的技术兼容具有很好的应用前景。在非晶硅电池的研究中，成本和性能是当前研究的主题，为进一步提高效率，人们构建叠层非晶硅电池，采用两个到多个Pin单结电池串联或并联的结构来提高效率。这样无疑是增加了制作成本，降低了产能。一般的单结pin非晶硅电池是在透明导电膜TCO的玻璃上连续沉积p+-a-Si:H、 i-a-Si:H、n+-a-Si:H构成的，其中本征的非晶硅薄膜i-a-Si:H是主要的光吸收层产生大量的光生载流子，而η+和P+掺杂层基本不产生光生载流子。这种单结薄膜电池工艺简单，但非晶硅材料本身的光致劣化以及不够完全的光谱匹配性，导致效率和稳定性不佳，限制了非晶硅薄膜电池的进一步发展。提高效率、增强稳定性的方法一般是采用宽带隙的低吸收的材料作为窗口层，以及采用高光谱匹配的材料。有碳掺杂的p+a-SiC:H层具有较宽的带隙，可以用作窗口层。宽带隙的p+a-SiC:H 层减少了光吸收损耗，增强了光在本征层的吸收，提高了短路电流。但是宽带隙的 p+a-SiC:H层却增加了 p+iC:H本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽娟，薛俊达，张伟，秦海涛，
申请(专利权)人：营口联创太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：