发光二极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包含发光元件、金属导线、外层本体、内层本体及透明封装体。金属导线连接发光元件，分别跨接至第一金属支架及第二金属支架。外层本体包含底部及外侧壁，共同围成容置空间。发光元件设置于第一金属支架的上表面；第二金属支架与第一金属支架相隔一间隙设置，并连接复数个金属导线。内层本体围绕该发光元件分布，且具有复数个缺口供金属导线穿设其中。透明封装体填充于容置空间并覆盖发光元件及金属导线。所形成的内层本体可缩短发光元件至两侧的距离，减少光线在透光封装体中的吸收次数，以提高出光效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种封装结构；具体而言，本技术是关于一种发光二极管封装结构。
技术介绍
发光二极管广泛应用于交通标志、室内照明、消费性电子产品以及电子仪器的耗电指示。发光二极管具有能量转换效率高、体积小、反应速度快、成品不易破损等优点，因为其兼具省电及低环境污染等特性，已逐渐成为日常生活的主流光源。图1为传统发光二极管封装结构示意图。传统发光二极管封装结构包含一发光元件11，置于金属支架15上，以金属连接线16跨接金属支架15的两端。电性保护装置17与发光元件11相对设置。发光元件11与电性保护装置17的上方被一封装体12所包覆。此外，在发光二极管封装结构的两侧及金属支架的下方具有一反射壁14。传统发光二极管封装结构需预留金属连接线16 —固定区域，使得发光元件11与反射壁14之间保持一距离，因而增加了光线在封装体12内的行进路径，降低出光效率。此外，如图1所示，在传统发光二极管封装结构中，发光元件11所发出的侧光被电性保护装置 17吸收，造成出光效率的浪费。因此需要一发光二极管封装结构，以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的一目的在于提供具有复数层封装本体的发光二极管封装结构，可提高发光元件的出光效率。发光二极管封装结构包含发光元件、金属导线、外层本体、内层本体及透明封装体。金属导线连接发光元件，分别跨接至第一金属支架及第二金属支架。外层本体包含底部及外侧壁，共同围成容置空间。发光元件设置于第一金属支架的上表面；第二金属支架与第一金属支架相隔一间隙设置，并连接复数个金属导线。内层本体围绕该发光元件分布，且具有复数个缺口供金属导线穿设其中。透明封装体填充于容置空间并覆盖发光元件及金属导线。关于本技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及所附图式得到进一步的了解。附图说明图1为传统发光二极管封装结构示意图；图2A为本技术封装结构的实施例示意图；图2B为本技术封装结构的另一实施例示意图；图3为发光二极管封装结构具有辅助封装体的实施例示意图；图4A至图4C为发光二极管封装结构具有不同内层封装体实施例上视图；图5为本技术封装结构的另一实施例上视图。 主要元件符号说明110发光元件120透明封装体122 空隙142底部 144外侧壁 146第二斜面 150a第一金属支架 150b第二金属支架 152上表面 160金属导线 162并联导线 170电性保护装置IM辅助封装体130内层本体132 缺口1；34辅助凹槽136 第一斜面140外层本体具体实施方式本技术提供一种发光二极管封装结构。图2A为本技术封装结构的实施例示意图。如图2A所示，发光二极管封装结构包含发光元件110、金属导线160、外层本体 140、内层本体130及透光封装体120。金属导线160连接发光元件110，分别跨接至第一金属支架150a及第二金属支架150b。外层本体140包含底部142及外侧壁144，共同围成容置空间126。其中，第一金属支架150a的上表面152露出于容置空间内，而发光元件110设置于第一金属支架150a的上表面152 ；第二金属支架150b与第一金属支架150a相隔一间隙1 设置，供复数个金属导线160自发光元件110分别连接至第一金属支架150a及第二金属支架150b以形成电性连接。内层本体130，自外层本体140底部142突出，而与外侧壁144间夹有空隙122，且围绕该发光元件110分布。内层本体130的一侧自第一金属支架 150a及第二金属支架150b间突出而位于发光元件110的侧边，内层本体130的另一侧则形成于第一金属支架150a上而共同围绕发光元件110。再者，内层本体130与外层本体140 可为相同材质组成，其材质可选用高分子塑胶类或其他类似物；然而，在其他实施例中，内层本体130与外层本体140也可采用不同材质构成。此外，内层本体130的顶端具有复数个缺口 132(如图虚线所示)供金属导线160穿设其中，相较于金属导线160自发光元件110 直接从内层本体130上方跨过而连接至第一金属支架150a与第二金属支架150b的方式， 采用金属导线160跨过内层本体130顶端的缺口 132而连接第一金属支架150a及第二金属支架150b的方式，可以压低线弧，进而使介于透明封装体120顶部与第一金属支架150a 及第二金属支架150b的上表面间的高度降低，因而达到容置空间1 的高度变小，使发光二极管封装结构的整体体积更小。透明封装体120填充于容置空间并覆盖发光元件110及金属导线160。此外，位于内层本体130顶端的缺口 132可因不同的使用需求而变更其设计。通过内层本体130的设置，使原来预计放置在第一金属支架150a及第二金属支架150b 上的其他元件(图未绘示)可放置于两侧的空隙122内，避免光线在接触内层本体130前被其他元件吸收。图2B为本技术封装结构的另一实施例示意图。如图2B所示，发光二极管封装结构更具有电性保护装置170，设置于外层本体140及内层本体130间的空隙122内。在内层本体130的顶端除设有上述的复数个缺口 132，另外设有一辅助凹槽134(如图虚线所示)，供并联导线162与电性保护装置170连接且穿设于辅助凹槽134中，使电性保护装置5170与发光元件110形成电性连接，提供发光元件110静电保护。通过电性保护装置170 设置于外层本体140及内层本体130间的空隙122内，因内层本体130形成屏蔽，可以避免发光元件110发出的光线被电性保护装置170设置吸收，因而提高出光效率。此外，在发光二极管封装结构中，内层本体130朝向发光元件110的内面形成第一斜面136，而外层本体 140的外侧壁144朝向容置空间的内面形成第二斜面146。第一斜面136所形成的斜率小于第二斜面146的斜率，使得内层本体130的第一斜面136较外层本体140的第二斜面146 具有更大的开口角度。通过第一斜面136的斜率小于第二斜面146的斜率的设计，可以调整光线的出光角度，提高出光效率。图3为发光二极管封装结构具有辅助封装体的实施例示意图。发光二极管封装结构中包含辅助封装体124，设置于内层本体130与外层本体140间的空隙，被透明封装体 120所包覆。其中透明封装体120具有第一折射率，而辅助封装体具有第二折射率，第二折射率小于第一折射率。当发光元件110发出的光线在透明封装体120内产生反射时，通过辅助封装体1 的第二折射率小于透明封装体120的第一折射率，使光线容易产生反射，减少光线在透明封装体120内被吸收的次数，以提高出光效率。此外，在其他实施例中，辅助封装体1 可填充具备高光反射率的光反射材料，以提高光线的反射率，减少光线在透明封装体120内被吸收的次数。其中光反射材料可选自硫酸钡、氧化钛、聚对苯二甲二乙酯 (PET,Polyethyleneterephthalate)、二氧化硅、白色油墨、白色树脂或金属。而透明封装体 120的材质可为环氧树脂或其他类似物。图4A至图4C为发光二极管封装结构具有不同内层封装体实施例上视图。如图4A 所示，在此实施例中，内层本体130分布于第一金属支架150a及第一金属支架150a与第二金属支架150b间的间隙巧4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.07.01 TW 1002121021.一种发光二极管封装结构，其特征在于该发光二极管封装结构包含 一发光元件；一金属导线，连接该发光元件；一外层本体，包含一底部及一外侧壁，共同围成一容置空间；一内层本体，自该外层本体底部突出，而与该外侧壁间夹有空隙，且围绕该发光元件分布，该内层本体有至少一缺口供该金属导线穿设其中；以及一透光封装体，填充于该容置空间并覆盖该发光元件及该金属导线。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于该发光二极管封装结构还包含一第一金属支架，露出上表面于该容置空间内，其中该发光元件设置于该第一金属支架上表面；以及一第二金属支架，与该第一金属支架相隔一间隙设置，并连接至少一该金属导线。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该内层本体的一侧自该第一金属支架及该第二金属支架间突出而位于该发光元件的侧边，该内层本体的另一侧形成于该第一金属支架上而共同围绕该发光元件。4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少一缺口形成于该内层本体的顶端。5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该内层本体朝向该发光元件的内面形成一第一斜面，该外层本体的该外侧壁朝向容置空间的内面形成一第二斜面， 该第一斜面所形成的斜率小于该第二斜面的斜率。6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于该发光二极管封装结构还包含一电性保护装置，设置于该外层封装体与该内层本体间的该空隙内，其中该电性保护装置与该发光元件电性连接。7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于该发光二极管封装结构还包含一辅助凹槽，形成于该内层本体的顶端；以及一导线与该电性保护装置连接且穿设于该辅助凹槽中。8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于该发光二极管封装结构还包含一辅助封装体，设置于该内层本体与该外层本体间的该空隙，被该透光封装体所包覆；该透光封装体具有一第一折射率，且该辅助封装体具有一第二折射率，该第二折射率小于该第一折射率。9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该辅助封装体包含有具备高光反射率的一光反射材料。10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该光反射材料是选自硫酸钡、氧化钛、聚对苯二甲二乙酯、二氧化硅、白色油...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙得皓，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：