金属-氧化物-金属电容结构制造技术

本发明专利技术公开了一种金属-氧化物-金属电容结构，该电容结构包括：在同层金属上，电容的第一电极是由第一组相互平行的金属条组成，该第一组相互平行的金属条通过一条与该第一组相互平行的金属条垂直的金属条连接；或者电容的第一电极是由一垛形金属条组成；在同层金属上，电容的第二电极是由与电容的第一电极形成插指结构的第二组金属条组成；以如上所述的同层金属结构为最小重复单元，形成MOM电容结构。本发明专利技术利用对称结构，有效降低了MOM电容两端极板的寄生电感和电阻，扩展了MOM电容的应用范围。同时以该结构作为单元，利用单元结构的重复并联形成大的电容值的电容，降低了射频MOM电容模型建立的难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种射频器件的结构，特别是涉及一种金属-氧化物-金属(MOM)电容结构。
技术介绍
MOM电容是射频CMOS (互补金属氧化物半导体)或BiCMOS (双极互补金属氧化物半导体)集成电路的重要元件之一，广泛应用在压控振荡器等射频电路模块中。传统的MOM电容一般采用插指状结构(图1所示)，要获得大的电容值，需要增加每指的长度和提高插指的数目，增加每指长度会增加每指的寄生电感和电阻，降低了电容高频下的Q值(品质因素)，同时电容值随着频率的升高会出现明显的变化，从而限制了 MOM电容的应用范围。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种MOM电容结构。通过该电容结构可扩展MOM 电容的应用范围。为解决上述技术问题，本专利技术的MOM电容结构，是利用相邻同层金属侧壁之间电容形成MOM电容，两组不相连的金属形成电容的两极，该电容结构包括在同层金属上，电容的第一电极(阳极或阴极)是由第一组相互平行的金属条组成，该第一组相互平行的金属条通过一条与该第一组相互平行的金属条垂直的金属条连接，该连接点位于平行金属条的两端点之内；或者电容的第一电极是由一垛形金属条组成；在同层金属上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周天舒，王生荣，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：