一种卡盘和半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用在真空处理室中的卡盘，包括卡盘主体；导热装置；可拆卸的膨胀组件，膨胀组件连接在卡盘主体的外周与导热装置之间，膨胀组件包括：固定环，具有朝向所述卡盘主体侧延伸的伸出结构，所述伸出结构可弹性变形用于固定所述卡盘主体；绝热件，所述绝热件设置在所述固定环与导热装置之间且与所述固定环可拆卸地连接，用于限制热量在所述卡盘主体和所述导热装置之间的传导。本发明专利技术的卡盘可以彻底解决热膨胀及隔热问题，有效提高卡盘的温度均匀性。由此，卡盘可以实现在例如200度之上的高温段下的基片处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种卡盘和半导体处理装置。
技术介绍
随着半导体制备工艺的不断发展，等离子装置特别是电感耦合等离子体(ICP)装置被广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中。，等离子装置一般采用真空反应腔室将材料刻蚀(Etch)或化学气相沉积(CVD)在晶圆表面。在此过程中，通过机械夹持装置或静电卡盘(ESC)将晶圆固定真空反应腔内特定的工位上；被刻蚀或沉积工艺气体通过管路输送到真空反应腔室之中，同时真空反应腔室中(RF)射频场将工艺气体增能为等离子状态。在等离子体装置中，卡盘是其中较为重要的一个部件。卡盘在半导体生产工艺中用于固定和支撑基片，以避免基片在处理过程中出现移动或者错位现象，减少了在使用机械卡盘时由于压力、碰撞等原因造成的基片破损；增大了基片可被有效加工的面积；减少了基片表面腐蚀物颗粒的沉积；并且可以在真空工艺环境下工作。但是普通卡盘工作温度一般在100°C以内，而进入32-22纳米技术带后，高K栅介质和金属栅电极MOS器件被引入IC生产工艺。高K介质的刻蚀工艺需要高的硅片表面温度来获得高的介质层对硅的选择比，通常要求下电极温度在2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂淼，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：