晶体管及其制作方法技术

一种晶体管，其包括纳米线、基板、源极(Source)、漏极(Drain)、绝缘层以及栅极(Gate)，该源极与漏极间隔相对的贴设于该基板上，该纳米线搭接于该源极与漏极之间，该绝缘层覆盖于该源极、漏极以及该源极与漏极之间的区域，该栅极叠设于该绝缘层上，该源极与漏极的相对端均为尖端状设计，该纳米线连接于该源极与漏极的尖端之间。本发明专利技术还涉及该晶体管的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体管及其制作方法。
技术介绍
目前显示科技中软性电子是未来发展的趋势之一，然而传统薄膜晶体管将使得挠曲度受限，且一般多晶半导体由于成长温度较高仅能在玻璃基板上制备，故倘若能导入单晶材料来作为电子、电洞传输信道，将十分具有竞争潜力。纳米线具有极高的表面积对体积比(surface to volume ratio)，此一维度结构在表面特征、机械性质、光电及量子效应上与二维的传统薄膜相较皆有特别之表现，因此随着材料而异也衍生了各类的相关应用，诸如：气体传感器、场效晶体管、发光元件。然而利用纳米线制作元件的瓶颈在于，如何克服其尺寸问题并加以对位、控制，倘若能大量规则排列，将有机会顺利导入量产制程。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种能够解决上述问题的晶体管及其制作方法实为必要。一种晶体管，其包括纳米线、基板、源极、漏极、绝缘层以与栅极，该源极与漏极间隔相对的贴设于该基板上，该纳米线搭接于该源极与漏极之间，该绝缘层覆盖于该源极、漏极以及该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其包括纳米线、基板、源极、漏极、绝缘层以与栅极，
该源极与漏极间隔相对的贴设于该基板上，该纳米线搭接于该源极与漏极之
间，该绝缘层覆盖于该源极、漏极以及该源极与漏极之间的区域，该栅极叠
设于该绝缘层上，其特征在于，该源极与漏极的相对端均为尖端状设计，该
纳米线连接于该源极与漏极的尖端之间。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：该源极与漏极均为梳状电极。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：该源极与漏极均为多层结构，
且该多层结构中贴设于该基板上之电极层之相对端均为尖端设计。
4.一种晶体管的制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板；
在该基板上按照预定图案定义出第一电极区域以及第二电极区域；
在该第一电极区域以及第二电极区域内制备导电薄膜以形成第一电极
以及第二电极；

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉麟，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：