用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法。该蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸、0.5-10重量％的硝酸、5-30重量％的乙酸、0.01-5重量％的咪唑，并且余量为水。该多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层。该多层膜可为Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜或者Cu合金/Mo合金叠层膜。该多层膜可使用该蚀刻剂组合物以高效且有利的方式蚀刻。此外，可以批量方式同时蚀刻该多层膜的构成层。咪唑是充当Cu/Mo原电池反应控制剂的添加剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于对平板显示器或触摸传感器面板的薄膜晶体管(TFT)中使用的导电层进行图案化的蚀刻剂组合物。更具体地，本专利技术涉及用于蚀刻包含至少一个铜(Cu) 或铜合金(Cu合金)层和至少一个钼(Mo)或钼合金(Mo合金)层的导电多层膜，特别是用于以一次蚀刻Cu/Mo双层膜的蚀刻剂组合物。本专利技术还涉及使用该蚀刻剂组合物蚀刻导电多层膜的方法。
技术介绍
目前使用由Cu层和在所述Cu层之下的作为扩散阻挡物的钼(Mo)或钛(Ti)层构成的双层膜代替铜(Cu)单层作为用于TFT的低电阻金属电极，例如栅电极或者源/漏电极。已知许多用于这样的双层膜的蚀刻剂。例如，可使用基于磷酸的混合酸。然而，在这种情况下，不可能形成适合用于TFT制造中的期望的图案。还可使用含有少量氟离子的基于过氧化氢(H2O2)的混合酸。然而，该蚀刻剂是不稳定的，产生大量的废弃物并需要大量的纯净水。以过大的量使用蚀刻剂导致玻璃基底的蚀刻。此外，可使用包含磷酸、硝酸、乙酸和水的组合物作为用于铝的基于混合酸的蚀刻剂。由于该组合物太高的蚀刻速率使得难以形成期望的TFT图案，因此需要能够控制(降低)Cu的蚀刻速率的控制剂。W本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宗铉，
申请(专利权)人：普兰西公司，
类型：发明
国别省市：