具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管制造技术

一种增强型GaN晶体管，具有避免电介质失效的厚度的栅极pGaN结构。在一个实施例中，该厚度在400埃到900埃的范围内。在一个优选实施例中，该厚度为600埃。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管
技术介绍
近期研发了增强型氮化镓(GaN)晶体管。在GaN晶体管中，在铝镓氮(AWaN)/GaN 结构的顶部上生长P-型GaN(PGaN)栅极以便产生正的阈值电压。但是，已知的pGaN栅极结构不具有最佳的厚度，如果PGaN结构过厚则可导致电介质失效，或者如果pGaN栅极结构过薄则可导致电流的过电导(over-conductance)现象。图1示出已知GaN晶体管1的横断面。GaN晶体管1具有位于无掺杂的GaN层6 顶部上的AKiaN层5，在这两层之间具有二维电子气QDEG)异质结9。源极2、漏极3以及栅极4位于AlGaN层5上。栅极4具有在栅极金属4和AlGaN层5之间的pGaN结构7。电介质8覆盖被暴露的AlGaN层以及栅极4和pGaN结构7的侧壁。pGaN结构7具有厚度t。 栅极电介质7由栅极4和AWaN层5之间的侧壁确定。二维电子气异质结9由栅极4调制。图2示出图1所示的已知GaN晶体管1的电路图。图2示出电介质8与栅极二级管是并联的。应该理解，在此使用的附图标记适用于图1和图2。图3示出栅极的跨导(输入电压对输出电流)随着具有不同厚度t的pGa本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚力山大·利道，罗伯特·比奇，阿兰娜·纳卡塔，曹建军，赵广元，
申请(专利权)人：宜普电源转换公司，
类型：发明
国别省市：