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一种增强型GaN晶体管，具有避免电介质失效的厚度的栅极pGaN结构。在一个实施例中，该厚度在400埃到900埃的范围内。在一个优选实施例中，该厚度为600埃。...
该专利属于宜普电源转换公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜普电源转换公司授权不得商用。

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