用于基于GaN的电平移位器的差分激活的锁存器制造技术

一种具有电路的交叉耦合的差分激活的锁存器电路，所述电路包括可以完全在GaN中实现的多个n

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基于GaN的电平移位器的差分激活的锁存器

技术介绍

[0001]在典型的半桥IC设计中，如图1A所示，高侧FET2的导通或关断由高侧输入信号4决定，高侧输入信号4通常称为地。然而，当高侧FET 2导通时，作为高侧路径的低电源电压的SW节点6将等于输入电压V
in
(见图1B)，并且浮动电源电压V
ddF
大约为V
dd
‑
V
D
+V
in
，其中V
D
是二极管8的二极管电压降。由于V
in
的范围可以从几伏到几百伏，所以需要电平移位器将高侧输入信号4从接地参考信号电平移位到参考在高侧驱动器的输入处的节点6的信号。
[0002]图2是典型的现有技术电平移位器的框图。电平移位器包含两个部分——电平移位驱动器10和锁存器12。为了改变锁存器12的逻辑值，电平移位驱动器10中的脉冲发生器14在FET 16或FET 18的栅极上生成脉冲。FET 16或FET 18上的漏电流(称为差分电流)然后将下拉锁存器12的输入20或输入22以在锁存器输入2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种交叉耦合的差分激活的锁存器电路，包括：第一输入和第二输入，用于接收数字输入值；第一输出和第二输出，用于输出数字锁存值；以交叉耦合布置连接的第一n
‑
FET和第二n
‑
FET，其中相同的第一n
‑
FET和第二n
‑
FET中的每一个的栅极电连接至所述第一n
‑
FET和第二n
‑
FET中的另一个的漏极；以及电路，其包括多个n
‑
FET和反相器，所述反相器被连接至所述第一输入和所述第二输入、所述第一输出和第二输出、以及交叉耦合的第一n
‑
FET和第二n
‑
FET，用于防止所述第一输出和第二输出上的所述数字锁存值改变，除非所述第一输入和第二输入上的所述数字输入值不同。2.根据权利要求1所述的交叉耦合的差分激活的锁存器电路，其中所述多个n
‑
FET包括：串联电耦合的第三n
‑
FET和第四n
‑
FET，其中所述第三n
‑
FET的漏极被连接至所述第二n
‑
FET的基极，所述第三n
‑
FET的源极被连接至所述第四n
‑
FET的漏极，并且其中所述第四n
‑
FET的基极被连接至所述第一输入，以及所述第三n
‑
FET的基极被连接至所述第二输入的反相；以及串联电耦合的第五n
‑
FET和第六n
‑
FET，其中所述第五n
‑
FET的漏极被连接至所述第一n
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FET的基极，所述第五n
‑
FET的源极被连接至所述第六n
‑
FET的漏极，并且其中所述第五n
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李剑锋，R，
申请(专利权)人：宜普电源转换公司，
类型：发明
国别省市：