一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、背势垒层、氮化镓、势垒层以及绝缘介质层组成，在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在绝缘介质层上形成有栅极，栅极与绝缘介质层形成肖特基接触。本专利技术通过在栅极正下方沟道区域引入极化强度大于势垒层的背势垒层，使背势垒层和势垒层的极化强度相抵消，起到耗尽栅下沟道的二维电子气的效果，从而实现增强型工作状态。【专利说明】一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管
本专利技术涉及半导体器件领域，具体是指一种氮化镓（GaN)基增强型异质结场效应 晶体管。
技术介绍
氮化镓（GaN)基异质结场效应晶体管具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱 和速度高、导热性能好、抗辐射和良好的化学稳定性等优异特性，同时氮化镓（GaN)材料可 以与铝镓氮（AlGaN)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气异质结沟道，因此特 别适用于高压、大功率和高温环境的应用，是电力电子应用最具潜力的晶体管之一。 图1为现有的基于GaN-on-I...
【技术保护点】
一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要为衬底(101)，氮化铝(AlN)成核缓冲层(102)，氮化镓沟道层(103)，势垒层(104)和绝缘介质层(105)，在所述势垒层(104)上形成有源极(106)、漏极(107)，在所述绝缘介质层(105)上表面设有栅极(108)，所述源极(106)及漏极(107)均与所述势垒层(104)形成欧姆接触，所述栅极(108)与所述绝缘介质层(105)形成肖特基接触，其特征在于，在所述氮化铝(AlN)成核缓冲层(102)的上表面设有背势垒层(201)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜江锋，潘沛霖，陈南庭，于奇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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