二羟基芳基硅氧烷及其制备方法以及包含其的共聚物技术

技术编号:7215282 阅读:179 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种由式1表示的二羟基芳基硅氧烷化合物,该二羟基芳基硅氧烷化合物具有新型结构,其中在硅氧烷段之间引入新的部分。由于该结构的存在,可调整二羟基芳基硅氧烷化合物和聚合物的共聚物的物理性能。本发明专利技术还公开了一种用于制备该二羟基芳基硅氧烷化合物的方法。本发明专利技术还公开了一种包括该二羟基芳基硅氧烷化合物作为单体的共聚物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二羟基芳基硅氧烷化合物和其制备方法以及包含其的共聚物。更具体地,本专利技术涉及具有新型结构的二羟基芳基硅氧烷化合物,在该新型结构中在硅氧烷段之间引入特定的部分,从而能够调整利用与聚合物聚合而制备的共聚物的物理性能,并且本专利技术公开内容涉及该二羟基芳基硅氧烷化合物的制备方法。本
技术实现思路
还涉及包含该二羟基芳基硅氧烷化合物作为单体的共聚物。
技术介绍
对于通过使用硅氧烷单体来提高聚碳酸酯的耐化学性和冲击强度的方法已进行了大量的研究。但是,这些方法可能由于共聚合后的聚碳酸酯与硅氧烷单体的不相容性而造成聚碳酸酯透明性显著降低。已经进行很多努力来解决聚碳酸酯和硅氧烷单体之间的不相容的问题,并利用硅氧烷单体的硅原子在耐化学性和冲击强度方面的优势。例如,目前正在进行制备低聚二甲基硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的研究,其中硅氧烷单体的硅原子在聚碳酸酯中均勻分布。授予Vaughn等人的美国专利第3,189,662号公开了聚碳酸酯和硅氧烷单体的共聚物的制备方法,其中双酚部分结合于聚二甲基硅氧烷的两端。但是,在聚合之后由于连接硅氧烷和反应部分的硅氧键不稳定,可能发生硅氧烷单体的水解,导致共聚物的耐候性和机械性能差。为了解决这样的问题,已经开发了抗水解性提高的单体,其中含有代替了硅-氧键的硅-碳键的丙基苯基羟基硅氧烷段被连接起来。在早些时候已开发了使用硅-芳基键的单体(见美国专利第5,243,009号)。从那时起,已开发了具有硅-烷基键的热稳定性和抗水解性提高的单体。但是,仍然没有开发出用于制备其中在低聚二甲基硅氧烷段之间引入各种部分 (如烷基),从而获得改进的物理性能(例如,良好的耐热性和抗水解性)的硅氧烷单体的方法,因为还没有成功的在低聚二甲基硅氧烷段之间引入新部分的合成方法。
技术实现思路
本专利技术一方面提供了由式1表示的二羟基芳基硅氧烷化合物权利要求1. 一种二羟基芳基硅氧烷化合物,其由式1表示(1)其中R1和&各自独立地为可选被卤原子或C1-C6烷氧基取代的C1-Cltl烷基或C6-C18芳基,每一个A是可选含有-0-或-S-的C1-Cltl亚烷基或C6-Cw亚芳基, Z是可选被C1-C6烷基或C6-Cw芳基或卤原子取代的C1-C18亚烷基、C6-C18环亚烷基或 C6-C18亚芳基,每一个Y是氢原子或卤原子或C1-C18烷氧基、C1-Cltl烷基或C6-C18芳基,以及每一个η是4至100的整数。2.根据权利要求1所述的二羟基芳基硅氧烷化合物,其中R1和&是C1-C6烷基。3.根据权利要求1所述的二羟基芳基硅氧烷化合物,其中每一个A是C1-C6亚烷基。4.根据权利要求1所述的二羟基芳基硅氧烷化合物,其中Z是可选被C1-C6烷基取代的C1-Cltl亚烷基、C6-C10环亚烷基或C6-Cltl亚芳基。5.根据权利要求1所述的二羟基芳基硅氧烷化合物,其中每一个Y是氢或C1-C3烷氧基。6.一种用于制备式1的二羟基芳基硅氧烷化合物的方法7.一种共聚物,包括根据权利要求1所述的作为单体的二羟基芳基硅氧烷化合物。8.根据权利要求7所述的共聚物,其中所述共聚物包括至少一种选自由聚碳酸酯、聚磷酸酯和聚酯构成的组中的聚合物。全文摘要本专利技术公开了一种由式1表示的二羟基芳基硅氧烷化合物,该二羟基芳基硅氧烷化合物具有新型结构,其中在硅氧烷段之间引入新的部分。由于该结构的存在,可调整二羟基芳基硅氧烷化合物和聚合物的共聚物的物理性能。本专利技术还公开了一种用于制备该二羟基芳基硅氧烷化合物的方法。本专利技术还公开了一种包括该二羟基芳基硅氧烷化合物作为单体的共聚物。文档编号C08G77/44GK102382307SQ201010612680公开日2012年3月21日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年8月26日专利技术者周范俊, 李元基, 李旼洙, 洪尚铉, 高彰鸿 申请人:第一毛织株式会社本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:高彰鸿李旼洙洪尚铉周范俊李元基
申请(专利权)人:第一毛织株式会社
类型:发明
国别省市:

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