超临界干燥方法以及超临界干燥系统技术方案

本发明专利技术涉及超临界干燥方法以及超临界干燥系统。根据实施例，一种超临界干燥方法包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体；以及降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体。所述第一二氧化碳是通过回收和再生从所述腔排出的二氧化碳而产生的。所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳中所包含的所述超临界置换溶剂的浓度。

【技术实现步骤摘要】

本文中描述的实施例涉及超临界干燥方法和超临界干燥系统。
技术介绍
制造半导体器件的工艺包括光刻工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺。在完成每个工艺之后且在开始随后的工艺之前，进行清洗和干燥以去除残留在半导体衬底表面上的杂质或残留物，从而清洗半导体衬底表面。已知碳酸(carbonate)超临界干燥作为干燥半导体衬底的方法之一。例如，这是一种用于通过如下步骤来干燥半导体衬底的方法在腔内向利用用作冲洗剂的异丙醇 (IPA)润湿的半导体衬底表面供应超临界二氧化碳(超临界CO2),将半导体衬底表面上的 IPA溶解到超临界(X)2中以从半导体衬底去除IPA，使腔内的压力返回到大气压力，气化并清除使超临界C02。然而，由于在如上所述降低腔内的压力以使二氧化碳从超临界状态相改变为气相时残留在腔内的IPA雾冷凝并被再次吸附到半导体衬底上，这种方法带来产生颗粒的问题。由于在碳酸超临界干燥中使用大量的二氧化碳，就成本和环境而言，需要回收、再生和再利用二氧化碳。关于根据相关技术的二氧化碳回收和再生系统的性能，溶解在超临界(X)2中的IPA不能被充分去除，由此不能再生二氧化碳。由于IPA雾，产生了上述颗粒。 此外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：北岛由贵子，富田宽，林秀和，大口寿史，佐藤洋平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：