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本发明涉及超临界干燥方法以及超临界干燥系统。根据实施例，一种超临界干燥方法包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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