薄膜晶体管面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述绝缘层背向所述基板的一面上设有突出物，相邻两个所述突出物的间距的取值范围为１－１０μｍ；所述透明导电材料设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和侧面上，或者顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上。本发明专利技术还公开了一种薄膜晶体管面板的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器件，特别是涉及一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料；本专利技术还涉及一种液晶显示器件的制造方法，特别是涉及一种薄膜晶体管面板的制造方法，包括基板，绝缘层，透明导电材料，该方法包括配置薄膜晶体管的步骤。
技术介绍
现有薄膜晶体管面板中，两相邻的条状透明导电电极4之间具有间隙，如图1所示，这造成了部分区域的液晶接收到的电场不足，液晶不倾斜，如图2所示，从而在这些间隙区域的穿透率非常低，如图3所示，影响了液晶面板的显示效果。制造这种薄膜晶体管面板需要高解析度曝光能力的机台，对制程有极大的困难。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种薄膜晶体管面板，以解决薄膜晶体管面板中部分区域的液晶接收的电场不足从而导致穿透率低，显示效果受限的技术问题。为解决上述问题，本专利技术构造了一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述绝缘层背向所述基板的一面上设有突出物，相邻两个所述突出物的间距的取值范围为1-ΙΟμπι(微米)；所述透明导电材料设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和侧面上，或者顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，所述绝缘层与所述突出物为同一材料及层别。在本专利技术的薄膜晶体管面板中，若所述透明电极设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，两个相邻的所述突出物上的所述透明导电材料相连。在本专利技术的薄膜晶体管面板中，所述设置在所述突出物上的所述透明导电材料是条状的或者是片状的。在本专利技术的薄膜晶体管面板中，所述突出物的高度的取值范围为10-100纳米。在本专利技术的薄膜晶体管面板中，所述突出物的截面形状是规则的形状或者不规则的形状。本专利技术的另一个目的在于提供一种薄膜晶体管面板的制造方法，以解决薄膜晶体管面板中部分区域的液晶接收的电场不足从而导致穿透率低，显示效果受限的技术问题。为解决上述问题，本专利技术构造了一种薄膜晶体管面板的制造方法，包括基板，绝缘层，透明导电材料，所述方法包括配置薄膜晶体管的步骤，所述方法还包括以下步骤(A)在所述基板背向光源的一面上设置所述绝缘层；(B)对所述绝缘层背向所述基板的一面进行蚀刻，形成突出物，两个相邻的所述突出物的间距的取值范围为l-ΙΟμπι; (C)去除所述绝缘层上蚀刻产生的残留物；(D)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面上设置所述透明导电材料。在本专利技术的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(D)具体包括以下步骤(dl)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上设置厚度固定的所述透明导电材料；或者(d2)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上沉积厚度不固定的所述透明导电材料，在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的厚度大于在所述突出物顶面的所述透明导电材料的厚度；或者(们)在所述绝缘层进行了蚀刻的一面的表面上沉积厚度不固定的所述透明导电材料，在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的厚度小于在所述突出物顶面的所述透明导电材料的厚度。在本专利技术的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(dl)后还包括以下步骤:(dll)去除所述透明导电材料上的残留物。在本专利技术的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(业)还包括以下步骤(d21)在相邻两个所述突出物之间的所述透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的所述透明导电材料的厚度固定；((12 在蚀刻后，去除所述透明导电材料上的残留物。。在本专利技术的薄膜晶体管面板制造方法中，所述步骤(们)还包括以下步骤(d31)在所述突出物的顶面的透明导电材料的表面上进行蚀刻，使蚀刻后的透明导电材料的厚度固定；((13 在蚀刻后，去除所述透明导电材料上的残留物。本专利技术相对于现有技术，消除了现有技术中两透明导电电极之间液晶不倾斜的盲区，显示区域中的穿透率均勻，增强了显示效果。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图1为现有技术中薄膜晶体管面板的薄膜晶体管与像素区域的俯视图；图2为图1中A-A，截面的局部视图；图3为图2中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；图4为本专利技术的薄膜晶体管面板的第一较佳实施例的俯视图；图5为图4中B-B，截面的局部视图；图6为图5中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；图7为本专利技术的薄膜晶体管面板的第二较佳实施例的示意图；图8为图7中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；图9为本专利技术的薄膜晶体管面板的第三较佳实施例的俯视图；图10为图9中C-C’截面的局部视图；图11为图10中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；图12为本专利技术的薄膜晶体管面板的第四较佳实施例的示意图；图13为图12中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；图14为本专利技术的薄膜晶体管面板的第五较佳实施例的示意图；图15为图14中薄膜晶体管面板的穿透率的示意图；图16为本专利技术薄膜晶体管面板的制造方法较佳实施例的流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。参考图4和图5，图4为本专利技术的薄膜晶体管面板的第一较佳实施例的俯视图，图5为图4中B-B’截面的局部视图。透明导电材料(第一透明导电材料12和第二透明导电材料1 是条状的。绝缘层5设置在基板6上，绝缘层5背向基板6的一面上设有突出物7，突出物7具有顶面8、第一侧面9和第二侧面10。在本实施例中，突出物7的截面是矩形的，绝缘层5与突出物7为同一材料及层别。突出物7的顶面8上设有第一透明导电材料12，突出物7的根部所在的平面11设有第二透明导电材料15。彩色滤光片2设置在公共电极1之上，液晶层3置于公共电极1和透明材料(第一透明导电材料12和第二透明导电材料15)之间。在本实施例中，第二透明导电材料15与突出物7的第一侧面9和相邻的突出物7的第二侧面10相接触。第一透明导电材料12的厚度和第二透明导电材料15的厚度固定，在这里，厚度固定定义为在第一透明导电材料12和第二透明导电材料15上任意选取两个区域，这两个区域的厚度相差不超过10%。突出物7的高度H均可在10-100nm(纳米)内取值。两个相邻的突出物7的间距为D，D的取值范围为1-10 μ m(微米)。本专利技术中，由于在绝缘层5上设置突出物7，并且在突出物7的顶面8和突出物7根部所在的平面11上均设置透明导电材料(第一透明导电材料12和第二透明导电材料15)，因此消除了现有技术中的液晶不倾斜的盲区，提升了穿透率，如图6所示，图6中第一透明导电材料12区域对应的穿透率跟第二透明导电材料15区域对应的穿透率相差不大，同时由于两个透明导电材料在垂直方向上具有一定的落差，即电场的发出点错开布置，增加了电场对液晶的作用，提升了穿透率。参考图7，图7为本专利技术的薄膜晶体管面板的第二较佳实施例的示意图。透明导电材料(第一透明导电材料12、第三透明导电材料13和第二透明导电材料15组成的整体)是条状的，本实施例的薄膜晶体管面板的俯视图与图4类似。绝缘层5设本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管面板，包括基板，绝缘层，透明导电材料，其特征在于：所述绝缘层背向所述基板的一面上设有突出物，相邻两个所述突出物的间距的取值范围为１－１０微米；所述透明导电材料设置在所述绝缘层的所述突出物的顶面和侧面上，或者顶面和底部周围的平面上，或者顶面、侧面和底部周围的平面上，所述绝缘层与所述突出物为同一材料及层别。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱钟毅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94