液晶显示面板制造技术

一种液晶显示面板，具有提高的侧面可视性。所述液晶显示面板包括：包括形成在像素区上的像素电极的第一基板，所述像素区包括第一子像素区和第二子像素区；以及联接到所述第一基板的第二基板，其中在所述第一基板与所述第二基板之间容纳有液晶层，所述第二基板包括在与所述像素区对应的区域上形成的公共电极，其中所述像素电极包括：形成在所述第一子像素区上的第一子像素电极；形成在所述第二子像素区上的第二子像素电极；以及形成在所述第一子像素区与所述第二子像素区之间的接触电极，并且其中所述第一子像素电极与所述接触电极彼此分隔开预定的距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个或多个方面涉及液晶显示面板，更具体地说，涉及具有提高的侧面可视性的液晶显示面板。
技术介绍
一般而言，液晶显示面板包括阵列基板、面对阵列基板的滤色器基板以及形成在阵列基板与滤色器基板之间的液晶层。阵列基板包括作为实现图像的基本单元的多个像素。每个像素包括栅极布线、数据布线、薄膜晶体管(TFT)和像素电极。栅极布线和数据布线分别接收栅极信号和数据信号，并且分别电联接到TFT的栅电极和源电极。像素电极电联接到TFT的漏电极，并且面对形成在滤色器基板上的公共电极，其中液晶层插入公共电极与像素电极之间。与阴极射线管(CRT)显示设备相比，包括液晶显示面板的液晶显示设备可以更薄，但可能具有较窄的视角。为了克服视角较窄的问题，近来已对具有宽视角的液晶显示设备，例如垂直取向构型(PVA)模式的液晶显示设备、多象限垂直取向构型(M-PVA)模式的液晶显示设备和超级垂直取向构型(S-PVA)模式的液晶显示设备，进行了积极的研究。这些液晶显示设备通过形成液晶分子以不同的方向与图案化的透明电极一起布置在其中的液晶象限来进行制造，因此可以具有较宽的视角。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个方面提供了具有提高的侧面可视性的液晶显示面板。根据本专利技术的一方面，液晶显示面板包括包括位于像素区上的像素电极的第一基板，所述像素区包括第一子像素区和第二子像素区；以及联接到所述第一基板的第二基板，其中在所述第一基板与所述第二基板之间容纳有液晶层，所述第二基板包括在与所述像素区对应的区域上形成的公共电极，其中所述像素电极包括位于所述第一子像素区上的第一子像素电极；位于所述第二子像素区上的第二子像素电极；以及位于所述第一子像素区与所述第二子像素区之间的接触电极，并且其中所述第一子像素电极与所述接触电极彼此分隔开预定的距离。所述第一基板可以进一步包括栅电极；通过栅绝缘层与所述栅电极绝缘的半导体层；以及电联接到所述半导体层的源电极和漏电极，并且其中所述漏电极延伸到所述第一子像素区。所述液晶显示面板可以进一步包括位于所述像素电极与所述漏电极之间的钝化层。可以由所述第一子像素电极、所述钝化层以及延伸到所述第一子像素区的所述漏电极形成联接电容器。所述液晶显示面板可以进一步包括被形成为与所述像素电极重叠的存储布线。可以由所述存储布线、所述栅绝缘层层和所述漏电极形成存储电容器。所述第一子像素电极可以是浮置电极。可以在所述公共电极的至少一部分中形成第一开口，以便与所述第一子像素电极对应。所述第一基板可以进一步包括延伸到所述第一子像素区的漏电极；以及位于所述像素电极与所述漏电极之间的钝化层，其中由所述第一子像素电极的形成所述第一开口的区域、所述钝化层和所述漏电极形成联接电容器。所述液晶显示面板可以进一步包括用于将所述第二子像素电极与所述接触电极彼此联接的连接电极。根据本专利技术的另一方面，液晶显示面板包括开关器件，形成在第一基板上，并且包括源电极、漏电极和栅电极；第一子像素区，电联接到所述开关器件，并且包括第一液晶电容器和联接电容器；以及第二子像素区，电联接到所述开关器件，并且包括第二液晶电容器，其中充入所述第一子像素区的电压小于充入所述第二子像素区的电压。所述联接电容器可以串联联接在所述漏电极与所述第一液晶电容器之间。所述液晶显示面板可以进一步包括位于所述第一子像素区与所述第二子像素区之间的存储电容器。所述液晶显示面板可以进一步包括数据布线，电联接到所述源电极；栅极布线， 电联接到所述栅电极；以及存储布线，电联接到所述存储电容器的一个端子，并且基本上平行于所述栅极布线延伸的方向而延伸。所述液晶显示面板可以进一步包括面对所述第一基板的第二基板，其中在所述第二基板上形成有公共电极。可以在所述公共电极的形成所述联接电容器的区域中形成第一开口。所述液晶显示面板可以进一步包括形成在所述第一子像素区上的第一子像素电极；形成在所述第二子像素区上的第二子像素电极；以及形成在所述第一子像素区与所述第二子像素区之间的接触电极，其中所述第一子像素电极与所述接触电极彼此分隔开预定的距离。所述液晶显示面板可以进一步包括位于所述第一子像素电极与所述漏电极之间的钝化层，其中所述漏电极延伸到所述第一子像素区，并且其中由所述第一子像素电极、所述钝化层以及在所述第一子像素区中延伸的所述漏电极形成所述联接电容器。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述及其它特征和优点将变得更加明显，附图中图1是根据本专利技术实施例的液晶显示面板的平面图；图2是沿图1的线A-A'截取的液晶显示面板的截面图；以及图3是根据本专利技术实施例的液晶显示面板的单个像素的等效电路图。 具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术，附图中示出本专利技术的示例性实施例。图1是根据本专利技术实施例的液晶显示面板的平面图。图2是沿图1的线A-A'截取的液晶显示面板的截面图。参见图1和图2，根据本实施例的液晶显示面板包括第一基板100和联接到第一基板100的第二基板200，其中液晶层300容纳在第一基板100与第二基板200之间。第一基板100包括第一底基板110，第一底基板110包括被限定为第一底基板110 的一部分的像素区PA。在这种情况下，像素区PA包括彼此分离的第一子像素区PAsi和第二子像素区PAs2。栅极布线GL以及与栅极布线GL相交的数据布线DL形成在第一底基板110上。连接到每条栅极布线GL和每条数据布线DL的开关器件TR以及连接到开关器件 TR的像素电极PE形成在像素区PA上。另外，存储布线STL形成在像素区PA上以便与像素电极PE部分重叠。开关器件TR包括栅电极GE、栅绝缘层120(图2)、半导体层130、源电极SE和漏电极DE。栅电极GE从栅极布线GL突出。栅绝缘层120形成在栅极布线GL和栅电极GE上， 如图2所示。半导体层130包括掺有杂质的有源层以及形成在有源层上的欧姆接触层。在这种情况下，半导体层130形成在栅绝缘层120上，以便与栅电极GE对应。源电极SE从数据布线DL突出，并且形成在半导体层130上。漏电极DE与源电极SE分隔开，并且形成在半导体层130上。接触部分CT形成在漏电极DE的延伸部分中，并且漏电极DE和以下将描述的像素电极PE的接触电极CE通过接触部分CT彼此电连接。如图2所示，接触部分CT包括形成在钝化层140中的接触孔，钝化层140形成在数据布线DL、源电极SE和漏电极DE上。在这种情况下，源电极SE和漏电极DE可以各自包括诸如金属材料、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌 (IZO)之类的导电材料。像素电极PE包括第一子像素电极PEsi、第二子像素电极PEs2、接触电极CE和连接电极BE。第一子像素电极PEsi形成在第一子像素区PAsi上，并且第二子像素电极PEs2形成在在第二子像素区PAs2上。在这种情况下，第一子像素电极PEsi可以是与第二子像素电极 PEs2、接触电极CE和连接电极BE分隔开预定距离的浮置型电极。接触电极CE形成在第一子像素电极PEsi与第二子像素电极PEs2之间，并且连接电极BE形成在第二子像素电极P^与接触电极CE之间。另外，开关器件TR形成为与接触电极CE相邻以通过接触部分CT电联接到接触电极CE。存储布线STL形成在第一子像素区PAsi本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示面板，包括：包括位于像素区上的像素电极的第一基板，所述像素区包括第一子像素区和第二子像素区；以及联接到所述第一基板的第二基板，其中在所述第一基板与所述第二基板之间容纳有液晶层，所述第二基板包括在与所述像素区对应的区域上形成的公共电极，其中所述像素电极包括：位于所述第一子像素区上的第一子像素电极；位于所述第二子像素区上的第二子像素电极；以及位于所述第一子像素区与所述第二子像素区之间的接触电极，并且其中所述第一子像素电极与所述接触电极彼此分隔开预定的距离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安亨哲，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR