本发明专利技术涉及在像素区域内具有光传感器的显示装置。本发明专利技术的光传感器包括：接收入射光的二极管（Ｄ１）；供给复位信号的复位信号配线（ＲＳＴ）；供给读出信号的读出信号配线（ＲＷＳ）；存储节点（ＩＮＴ），其以从所述复位信号被供给开始至所述读出信号被供给期间为止的期间为传感期间，电位在传感期间根据由所述光检测元件接收到的光量发生变化；根据上述读出信号，将上述存储节点的电位放大的放大元件（Ｃ１）；和传感器开关元件（Ｍ２），其用于将由上述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出读出到输出配线（ＯＵＴ）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有光电二极管或光电晶体管等光检测元件的带光传感器的显示装置，特别涉及在像素区域内设置有光传感器的显示装置。
技术介绍
历来，提案有例如通过在像素内设置有光电二极管等光检测元件，能够检测外光的明亮度、或取入接近显示器的物体的图像的带光传感器的显示装置。这样的带光传感器的显示装置被设想为作为双方向通信用显示装置、带触摸面板功能的显示装置使用。在现有的带光传感器的显示装置中，在利用半导体工艺在有源矩阵基板形成信号线和扫描线、TFT(Thin Film Transistor 薄膜晶体管)、像素电极等公知的构成要素时，同时在有源矩阵基板上制作光电二极管等(参照专利文献1、非专利文献1)。图59表示形成于有源矩阵基板上的现有的光传感器(专利文献2、；3)的一个例子。图59所示的现有的光传感器包括光电二极管D1、电容器C2和薄膜晶体管M2。在光电二极管Dl的阳极(anode)连接有用于供给复位信号的配线RST。在光电二极管Dl的阴极 (cathode)连接有电容器C2的一个电极和薄膜晶体管M2的栅极。薄膜晶体管M2的漏极与配线VDD连接，源极与配线OUT连接。电容器C2的另一个电极与用于供给读出信号的配线 RffS连接。在该结构中，通过分别在规定的定时向配线RST供给复位信号、向配线RWS供给读出信号，能够获得与在光电二极管Dl接收的光的量相应的传感器输出VPIX。在此，参照图 60说明图59所示的现有的光传感器的动作。另外，在图60中，将复位信号的低电平(例如-7V)表示为VKSu，将复位信号的高电平(例如0V)表示为VKST.H，将读出信号的低电平 (例如0V)表示为VKWSf将读出信号的高电平(例如15V)表示为VKWS.H。首先，当向配线RST供给高电平的复位信号VKST.HW，光电二极管Dl成为正向偏压， 薄膜晶体管M2的栅极电位Vint能够由下述的式⑴表示。权利要求1.一种显示装置，其特征在于在有源矩阵基板的像素区域设置有光传感器， 所述光传感器包括 接收入射光的光检测元件； 向该光传感器供给复位信号的复位信号配线； 向该光传感器供给读出信号的读出信号配线；存储节点，其以从所述复位信号被供给开始至所述读出信号被供给为止的期间为传感期间，电位在传感期间根据由所述光检测元件接收到的光量发生变化； 根据所述读出信号，将所述存储节点的电位放大的放大元件；和传感器开关元件，其用于将由所述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出读出到输出配线。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于 所述放大元件是可变电容器。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于所述可变电容器是包括所述读出信号配线、绝缘膜和形成在硅膜的P型半导体区域的 MOS电容器。4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于所述可变电容器是包括所述传感器开关元件的栅极电极、绝缘膜和形成在硅膜的η型半导体区域的MOS电容器。5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于 所述放大元件是P沟道薄膜晶体管。6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于在所述P沟道薄膜晶体管中，沟道区域形成在将所述光检测元件和所述存储节点连接的硅膜的宽幅部，该P沟道薄膜晶体管的栅极电极以与所述宽幅部重叠的方式设置。7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于 所述放大元件是η沟道薄膜晶体管。8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于 所述放大元件是在沟道上设置有栅极电极的二极管。9.如权利要求1 8中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括遮光膜，其在所述光检测元件，设置在与该光检测元件的光接收面相反的一侧；和电极，其以与所述遮光膜和所述光检测元件的寄生电容形成串联电容的方式，与所述遮光膜相对设置，其中，所述电极与所述读出配线电连接。10.如权利要求1 9中任一项所述的显示装置，其特征在于 在所述像素区域设置有多个所述光检测元件，所述多个光检测元件并联连接，所述放大元件与所述多个光检测元件的末端的光检测元件连接。11.如权利要求1 10中任一项所述的显示装置，其特征在于 所述传感器开关元件是三端子开关元件，所述三端子中的栅极电极与所述存储节点连接，所述三端子中的剩余的两个端子中的一个端子连接到所述输出配线。12.如权利要求1 11中任一项所述的显示装置，其特征在于 还具备所述传感器开关元件的复位用开关元件。13.如权利要求1 12中任一项所述的显示装置，其特征在于所述放大元件，在所述读出信号的低电平电位与高电平电位之间，具有该放大元件的导通/断开发生变换的阈值电位。14.如权利要求1 13中任一项所述的显示装置，其特征在于，还具备 与所述有源矩阵基板相对配置的对置基板；和被夹持在所述有源矩阵基板和对置基板之间的液晶。全文摘要本专利技术涉及在像素区域内具有光传感器的显示装置。本专利技术的光传感器包括接收入射光的二极管(D1)；供给复位信号的复位信号配线(RST)；供给读出信号的读出信号配线(RWS)；存储节点(INT)，其以从所述复位信号被供给开始至所述读出信号被供给期间为止的期间为传感期间，电位在传感期间根据由所述光检测元件接收到的光量发生变化；根据上述读出信号，将上述存储节点的电位放大的放大元件(C1)；和传感器开关元件(M2)，其用于将由上述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出读出到输出配线(OUT)。文档编号G02F1/1362GK102341749SQ20108000992公开日2012年2月1日 申请日期2010年1月7日 优先权日2009年3月2日专利技术者C·布朗, 加藤浩巳, 田中耕平 申请人:夏普株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种显示装置，其特征在于：在有源矩阵基板的像素区域设置有光传感器，所述光传感器包括：接收入射光的光检测元件；向该光传感器供给复位信号的复位信号配线；向该光传感器供给读出信号的读出信号配线；存储节点，其以从所述复位信号被供给开始至所述读出信号被供给为止的期间为传感期间，电位在传感期间根据由所述光检测元件接收到的光量发生变化；根据所述读出信号，将所述存储节点的电位放大的放大元件；和传感器开关元件，其用于将由所述放大元件放大后的电位作为传感器电路输出读出到输出配线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·布朗，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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