液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种适于减小功耗并防止图片质量劣化的液晶显示装置及其制造方法。该液晶显示装置包括：基板；由排列在基板上的多条选通线和多条数据线限定的像素区域，选通线和数据线在基板上排列成彼此交叉；分别形成在多条选通线和多条数据线的交叉处的薄膜晶体管；形成在各像素区域中的像素电极；形成在基板的设置有薄膜晶体管、选通线、数据线和像素电极的整个表面上的钝化层；以及形成在钝化层上的公共电极布线和公共电极图案，其中，钝化层包括第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分，第一部分在栅绝缘层上、与薄膜晶体管、选通线和数据线相对地形成，而第二部分在像素区域上与像素电极相对应地形成。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种液晶显示(LCD)装置，更具体地说，涉及一种适于减小功耗并防止图片质量劣化的LCD装置以及其制造方法。
技术介绍
本申请要求2010年8月10日提交的韩国专利申请NO. 10-2010—0077055和2011 年7月15日提交的韩国专利申请W). 10-2011-0070669的优先权，在此通过引用并入其全部内容。趋势是液晶显示(LCD)装置由于例如其重量轻、形状薄、驱动电压低等的特征而使得它们的应用领域越来越广泛。通过LCD装置应用于办公自动化设备、音频设备和视频设备等中的方式，明显地确认了该趋势。LCD装置利用液晶的随着施加电压而变化的透光特性，将电信号转换成视觉信息， 由此显示图像。液晶应当是处于液体和晶体之间的中间状态的材料。对此，LCD装置各包括具有电极的两个基板和夹在这两个基板之间的液晶层。与具有相同屏幕尺寸的其他显示装置相比，这种IXD装置更轻更薄，并且以更低的电压驱动。IXD装置允许在前侧的IXD面板的各像素选择性透过从其后侧的光源发出的光， 由此显示图像。在这种情况下，IXD面板上的各像素起到光开关的作用。这种IXD装置控制光源中产生的光的强度，以便显示图像，而不象相关技术中的CRT(阴极射线管)是调节电子束的强度从而控制亮度。上述IXD装置中包含的IXD面板以组合滤色器基板(即，上基板)和薄膜晶体管基板(即，下基板)使液晶层位于这两个基板之间的结构来进行制造。滤色器基板设置有形成在其上的滤色器。薄膜晶体管基板设置有形成在其上的薄膜晶体管。普通LCD面板的薄膜晶体管基板包括彼此交叉的选通线和数据线、以及在选通线和数据线的交叉部形成的薄膜晶体管TFT。各薄膜晶体管包括栅极和源极/漏极，并在栅极与源极/漏极之间形成有栅绝缘层。漏极电连接到像素电极。在设置有源极/漏极和像素电极的栅绝缘层上形成有钝化(或保护)层。在钝化层上形成公共电极布线和公共电极图案。以这种方式，具有横向电场模式的普通LCD装置中所包含的薄膜晶体管基板不仅使得在选通线和数据线上要形成公共布线，而且要在像素电极上形成公共图案。这样，在选通线和数据线与公共电极布线之间形成寄生电容，此外还发生垂直串扰。因此，普通LCD装置的图象质量劣化。为了减小寄生电容，普通IXD装置可以设计成增加钝化层的厚度。在这种情况下， 像素电极和公共电极图案之间的距离必定增大。这样，普通LCD装置的透光特性由于对施加到液晶的电力对电场的作用减小而降低。而且，这导致了 LCD装置的制造过程中的困难。 此外，具有800X400个点的高清模式的WVGA(宽视频图形阵列)IXD装置由于其像素尺寸变小需要减小在像素电极和公共电极图案之间的存储电容。
技术实现思路
因此，本实施方式致力于一种基本消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的LCD装置及其制造方法。本实施方式的目的是提供一种适于减小功耗并防止图片质量劣化的LCD装置及其制造方法。这些实施方式的其他特征及优点将在以下的说明书中进行阐述，并且一部分根据本说明书将是清楚的，或者可以通过这些实施方式的实践获知。这些实施方式的优点可以通过在本书面描述及其权利要求书和附图中具体指出的结构来实现和获得。根据本专利技术的一个总的方面，一种IXD装置包括基板；像素区域，这些像素区域由排列在所述基板上的多条选通线和多条数据线限定，所述多条选通线和所述多条数据线在所述基板上排列成彼此交叉；薄膜晶体管，各薄膜晶体管形成在所述多条选通线和所述多条数据线的交叉处；像素电极，所述像素电极形成在各个所述像素区域中；钝化层，所述钝化层形成在所述基板的设置有所述薄膜晶体管、所述选通线、所述数据线和所述像素电极的整个表面上；以及公共电极布线和公共电极图案，所述公共电极布线和公共电极图案形成在所述钝化层上。所述钝化层包括第一部分和厚度比所述第一部分薄的第二部分，所述第一部分在栅绝缘层上、与所述薄膜晶体管、所述选通线和所述数据线相对地形成，而所述第二部分在所述像素区域上与所述像素电极相对应地形成。根据本专利技术的另一方面的LCD装置的制造方法包括以下步骤在基础基板上形成栅极、选通线和选通焊盘；在具有所述栅极、所述选通线和所述选通焊盘的所述基础基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体图案；在所述栅绝缘层上、与像素区域相对应地形成像素电极；在设置有所述半导体图案的所述栅绝缘层上形成源极、漏极和数据线； 以及在设置有所述半导体图案、所述源极、所述漏极、所述像素电极、所述选通线和所述数据线的所述栅绝缘层上形成钝化层。所述钝化层被限定成第一部分，其与所述半导体图案、所述源极、所述漏极、所述选通线和所述数据线相对；以及多个第二部分，其分别与所述像素电极相对，所述多个第二部分以比所述第一部分薄的厚度形成的。在审阅了附图及详细描述之后，对于本领域的技术人员来说其他系统、方法、特征和优点将是清楚的或者将会变得清楚。旨在将所有这种附加系统、方法、特征和优点都包括在该描述内、使其在本专利技术的范围内，并由所附权利要求书来保护。这部分中的任何内容都不应该看作是对这些权利要求书的限制。下面结合实施方式讨论其他方面和优点。应该理解，对本公开的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本公开提供进一步的解释。附图说明附图被包括在本申请中以提供对这些实施方式的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，这些附图例示了本专利技术的(多个)实施方式，且与说明书一起用于解释本公开。附图中图1是示出了根据本公开的第一实施方式的薄膜晶体管基板中包含的单位像素的平面图；图2是示出了沿图1的线I - I ‘、II-II'、III-III ’和IV-IV’所截取的薄膜晶体管基板的截面图；图3A到图8B是例示了根据本公开的第一实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的平面图和截面图；以及图9是示出了根据本公开的第二实施方式的薄膜晶体管基板的截面图；图IOA到图101是例示了根据本公开的第二实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；图11是示出了根据本公开的第三实施方式的薄膜晶体管基板的截面图；图12A到图12G是例示了根据本公开的第三实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；图13是示出了根据本公开的第四实施方式的薄膜晶体管基板的截面图；以及图14A到14K是例示了根据本公开的第四实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的截面图。具体实施例方式在本公开中，要理解的是，在实施方式中，当诸如基板、层、区域、膜或电极之类的元件被提到在另一元件“上”或“之下”形成，这些元件可以是直接在另一元件上或者之下， 或者也可以出现插入元件(间接)。元件的术语“上”或“之下”可以基于附图确定。在附图中，为了清楚起见，可以放大元件的侧面，但它们并不表示元件的实际尺寸。下面将详细描述本公开的实施方式，在附图中例示出了本公开的实施方式的示例。图1是示出了根据要公开的第一实施方式的薄膜晶体管基板中所包含的单位像素的平面图。图2是示出了沿图1中的线Ι-Γ ,11-11'、ΠΙ-ΙΙΙ’和IV-IV’所截取的薄膜晶体管基板的截面图。如图1和2所示，根据本公开的实施方式的薄膜晶体管基板包括彼此交叉并限定了像素区域的多条选通线110和多条数据线120，以及分别在选通线110和数本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：基板；像素区域，这些像素区域由排列在所述基板上的多条选通线和多条数据线限定，所述多条选通线和所述多条数据线在所述基板上排列成彼此交叉；薄膜晶体管，各薄膜晶体管形成在所述多条选通线和所述多条数据线的交叉处；像素电极，所述像素电极形成在各个所述像素区域中；钝化层，所述钝化层形成在所述基板的设置有所述薄膜晶体管、所述选通线、所述数据线和所述像素电极的整个表面上；以及公共电极布线和公共电极图案，所述公共电极布线和公共电极图案形成在所述钝化层上，其中，所述钝化层包括第一部分和第二部分，所述第一部分在栅绝缘层上、与所述薄膜晶体管、所述选通线和所述数据线相对地形成，而所述第二部分以比所述第一部分的厚度薄的厚度、在所述像素区域上与所述像素电极相对应地形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金大玹，宋孝植，黄淳煜，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR