通过移动来快速冷却基板的方法技术

本文提供用于冷却基材的方法。在某些实施例中，一种用于冷却一基材的方法包含：在一处理腔室中从一准备温度至一大于约摄氏900度的顶峰温度加热一基材；以及通过以至少约3mm/s的速率在垂直于该基材的上表面的方向上移动该基材，从该顶峰温度的约摄氏50度以内冷却该基材。在某些实施例中，通过移动该基材而冷却该基材进一步包含：移动该基材至第一位置，该第一位置具有离该处理腔室的该上表面的第一距离；以及随后移动该基材至第二位置，该第二位置具有比该第一距离更远离该上表面的第二距离。在某些实施例中，接近顶峰温度的滞留时间为约0.6秒或更少。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体上是关于处理方法，更具体而言，是关于用于冷却基材的方法。
技术介绍
在更小的半导体器件节点处，精确控制热处理过程是不可或缺的。举例而言，晶体管器件可包含超浅结(USJ)源极/漏极区域，这些区域可用诸如磷或硼等掺杂剂掺杂以增加载流子迁移率。诸如离子注入这样的掺杂处理期间，源极/漏极区域会受损且需要通过热处理修复。此外，离子注入之后，掺杂剂需要通过热处理活化，例如扩散至源极/漏极区域内的晶格空隙或晶格位置。适合用于活化掺杂剂以及修复源极/漏极的热处理可包含快速热处理(RTP)，诸如尖峰式RTP退火。不幸的是，RTP处理具有非常缓慢的冷却速率，这是因极低的导电度及/或辐射热损失而致。照此，由于RTP处理，源极/漏极区域所处的升高温度的时间会足以允许掺杂剂扩散进入晶体管器件的沟道，或者进入不期望出现掺杂剂的器件的其它区域。因此，需要用于在热处理期间冷却基材的改进的方法。
技术实现思路
本申请提供一种用于冷却基材的方法。在某些实施例中，一种用于冷却一基材的方法包含在一处理腔室中从一准备温度加热一基材至一大于约摄氏900度的顶峰温度； 以及通过在垂直于该基材的上表面的方向上本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种冷却基材的方法，包含：在处理腔室中从准备温度加热基材至大于约摄氏９００度的顶峰温度；以及通过以至少约３ｍｍ／ｓ的速率在垂直于所述基材的上表面的方向上移动所述基材，从离所述顶峰温度的约摄氏５０度以内的温度冷却所述基材。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·阿德霍尔德，L·特蒂特斯基，A·亨特，M·特兰，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US