具微筛孔网屏的紫外线传送微波反射器制造技术

技术编号:7154922 阅读:218 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于一基板处理室的紫外线传送微波反射器包含一延伸于金属框架上的微筛孔网屏。在一个版本中,该微筛孔网屏包含至少一个电铸成形层。一种制造该微波反射器的方法包含电铸成形一围绕一微筛孔网屏的金属框架并使得该微筛孔网屏包含一大于总面积的80%的开口面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的设备的实施例关于一种用于基板的紫外线处理中的微波反射器。
技术介绍
在集成电路、显示器及太阳能面板的制造中,需将介电材料、半导体材料及导电材料的层形成于诸如半导体晶圆、玻璃面板或金属面板的基板上。接着处理此等层以形成诸如电互连、介电层、栅极及电极的特征结构。在随后工艺中,可用紫外线辐射来处理形成于基板上的层或特征结构。紫外线辐射具有小于500nm的波长,例如IOnm至500nm。紫外线辐射可用于快速热处理(RTP)中以快速地加热形成于基板上的层。紫外线辐射亦用以促进聚合物的固化或缩合聚合反应;产生应力薄膜层;及活化气体以清洁腔室。在一应用中,紫外线(UV)辐射用以处理氧化硅、碳化硅或掺碳氧化硅薄膜。举例而言,共同让渡的美国专利第6,566,278号及第6,614,181号(两者以引用的方式全部并入本文中)描述了在硅-氧-碳薄膜处理中使用紫外光。在半导体装置制造中,可将诸如氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiC)及硅-氧-碳(SiOCx)薄膜的材料用作介电层。化学气相沉积(CVD)方法常常用以沉积此等薄膜,且包括促进CVD腔室中硅供应源与氧供应源之间的热能型或等离子体型反应。在一些工艺中,在使用包括至少一个Si-C键的有机硅烷源时, 硅-氧-碳薄膜的沉积中有水形成。此水可在实体上吸收到薄膜中及/或作为Si-OH化学键并入经沉积的薄膜中,此两种情况皆为不宜。紫外线辐射已用以处理此等CVD薄膜以固化及密化经沉积的薄膜,同时减少个别晶圆的总体热预算且加速制造过程,如(例如)2005 年5月9日申请的标题为「High Efficiency ultraviolet Curing System」的美国专利申请案第11/1 ,908号所描述,该案让渡给应用材料公司(Applied Materials)且以引用的方式全部并入本文中。在此等及其它紫外线工艺中,需要增加紫外线辐射的强度以提供较好或较快的工艺。微波产生的紫外线等离子体光源能有效地产生UV辐射且具有良好的输出功率。然而, 用以产生UV光的微波辐射应包含在紫外线产生区域中。若微波泄露出此区域外将减少可用以产生UV光的微波的量,且亦可导致潜在不良效应,例如,可由处理区中的氧产生臭氧。 微波亦可加热基板上或腔室侧壁中的微波吸收材料。因此,已使用窗口将微波产生区域自处理区中分离出来,且将微波限制在紫外线源产生区域内。举例而言,可使用石英窗口阻止处理气体自处理区进入微波产生区中,或反的亦然。亦可在两个区域之间使用丝线筛网状导电网屏来反射微波,同时允许紫外线辐射穿过筛孔的孔口。出于包括此等及其它缺陷的各种理由,尽管各种UV处理技术已取得发展,但人们仍在不断地探寻UV处理技术的进一步改良。
技术实现思路
—种用于基板处理腔室的紫外线传送微波反射器包含延伸横越金属框架上的微筛孔网屏。在一个版本中,该微筛孔网屏包含一或多个电铸成形层。一种制造用于基板处理腔室的紫外线传送微波反射器的方法,其包含电铸成形围绕微筛孔网屏的金属框架并使得该微筛孔网屏包含大于总面积的80%的开口面积。在另一版本中,该紫外线传送微波反射器包含紫外线透明板及延伸横越紫外线透明板上的微筛孔网屏。制造紫外线传送微波反射器的另一方法包含形成紫外线透明板,及将微筛孔网屏电铸成形于紫外线透明板上,其中该微筛孔网屏包含大于总面积的80%的开口面积。在又一版本中,一种紫外线传送微波反射器包含一包含固体区段的栅格的微筛孔网屏,及覆盖固体区段的涂层介质。制造紫外线传送微波反射器的另一方法包含电铸成形包含固体区段的栅格的微筛孔网屏,及为固体区段涂布涂层介质。附图说明参考图标说明了本专利技术实例的下列描述、附加申请专利范围及随附图式,将更容易理解本专利技术的此等特征、方面及优势。然而,应理解,该等特征中的每一者可全面用于本专利技术中而不仅仅是在特定图式的情形下,且本专利技术包括此等特征的任何组合。图1为基板处理室的一实施例的侧视示意性横截面图,其包含紫外线传送微波反射器、紫外线灯及为灯供电的微波源;图2A为紫外线传送微波反射器的一实施例的透视图;图2B为图1的微波反射器的局部透视图;图3A为微波反射器的另一实施例的侧视横截面图,其展示了在微筛孔网屏的宽度上具有不同横截面面积的固体区段;图IBB为微波反射器的另一实施例的侧视横截面图,其展示了具有圆形横截面的固体区段;图3C为微筛孔网屏的固体区段的一实施例的横截面图,其横截面尺度在固体区段的长度上变化。图4为在微筛孔网屏周围具有锥形框架的微波反射器的侧视横截面图;图5为制造包含微筛孔网屏的微波反射器的电铸成形工艺的一实施例的流程图;图6为微波反射器的另一实施例的透视图,其包含由紫外线透明板支撑的固体区段的栅格;图7为微波反射器的又一实施例的透视图,其包含嵌入涂层介质中的线栅;图8为框架组件的一实施例,其可用以支撑具有微筛孔网屏的微波反射器;图9为紫外线(UV)灯模块的一实施例的俯视透视图,其包含由反射器组件围绕的紫外线灯模块且展示紫外线传送微波反射器;图10为包含数个基板处理室的基板工艺设备的一实施例的示意性俯视平面图; 及图11为基板处理室的一实施例的串行式版本的示意性横截面图。 具体实施例方式5如图1所示,紫外线(UV)处理可用以在基板处理腔室12中处理基板10 (诸如半导体晶圆、显示器或太阳能面板)上的层及材料。基板处理腔室12可为紫外线处理腔室、 组合化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)与紫外线处理腔室,或执行组合处理任务的任何其它腔室。腔室12包含封闭处理区14的壁13,处理区14固持用于支撑基板10的基板支撑件16。可在基板10上方的紫外线产生区18中产生紫外线辐射。UV灯模块20用以在UV产生区18中产生UV辐射。灯模块20包含发射UV辐射的 UV灯22。UV灯22可为任何UV源,诸如汞微波弧光灯、脉冲氙气闪光灯或高效UV发光二极管阵列。在一个版本中,UV灯22包含填充一或多种气体(诸如氙(Xe)或汞(Hg))的密封等离子体灯泡,其经由功率源23 (诸如产生微波25的微波源)的激发。在另一实施例中, UV灯22包括由功率源23 (示意性地展示)供电的细丝,其中功率源23将直流电供应至细丝。UV灯22亦可由包含可激发UV灯22内的气体的射频(RF)能源的功率源23供电。为说明的目的,将UV灯22展示为狭长圆柱形灯泡;然而,一般熟习此项技术者易了解,亦可使用具有其它形状的UV灯,诸如球形灯或灯的阵列。适合的UV灯22可购自(例如)Nordson 公司(位于Westlake,0hio);或购自Miltec UV公司(位于Mevenson,Md)。在一个实施例中,UV灯22包括来自Miltec UV公司的单个狭长UV H+灯泡。在其它实施例中,UV灯 22可包括两个或两个以上间隔开的狭长灯泡。UV透明板M使UV灯模块20与下方处理区14隔离,且使UV产生区18与下方处理区14分隔。板M亦消除自基板10至UV灯22的微粒污染,且允许使用气体冷却UV灯 22及/或微波源。在处理气体不干扰UV灯22操作的情况下,板M亦允许将处理气体用于处理区14中。在一个实施例中,板M由透光度对所需UV波长大体透明的石英材料制成。 此石英材料的实例可购自Dynasil公司(位于West本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种用于一基板处理室的紫外线传送微波反射器,该反射器包含:(a)一金属框架;(b)一微筛孔网屏,其延伸于该金属框架上,该微筛孔网屏包含一或多个电铸成形层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:T·A·恩古耶
申请(专利权)人:应用材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:US

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