管理基板退火的热预算制造技术

本发明专利技术提供一种用于处理一基板的方法及设备。将该基板定位于一热处理腔室中的一支撑件上。将电磁辐射导向该基板以退火该基板的一部分。将其它电磁辐射导向该基板以预热该基板的一部分。该预热降低该预热区域与该退火区域之间的边界处的热应力。按特定实施方式的需要，预期任何数量的退火区域及预热区域，其具有可变的形状及温度分布。可使用诸如激光、热灯、白光灯或闪光灯的任何适当的电磁辐射源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】管理基板退火的热预算专利技术背景专利
本专利技术的实施方式关于制造半导体器件的方法。更具体地说，本专利技术的实施方式针对热处理基板的方法。现有技术的描述集成电路(IC)市场不断地需要更大的内存容量、更快的切换速度及更小的特征结构尺寸。工业中用以应对这些需要的主要步骤之一为将在大熔炉中批处理的硅晶片改变为在小腔室中的处理单晶片。在该单晶片处理期间，通常将晶片加热至高温以使得各种化学及物理反应可在该晶片中界定的多个IC器件中发生。受特定关注的是，IC器件的有利电效能要求对注入区域进行退火。退火将先前制成为非晶形的晶片区域重新产生为更加结晶的结构，且藉由将掺杂剂的原子并入至基板或晶片的结晶晶格中活化掺杂剂。诸如退火的热工艺要求在短时间内为晶片提供相对大量的热能且之后使该晶片快速冷却以终止该热工艺。当前所使用的热工艺的实例包括快速热处理(RTP)及脉冲(尖峰式)退火。虽然这些工艺得以广泛使用， 但当前技术对倾向于长时期暴露在高温下的大基板而言并不理想。这些问题随着切换速度的增加及/或特征结构尺寸的减小而变得更加严重。一般而言，这些热工艺根据预定热制作方法(thermal recipe)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种处理一基板的方法，其包含：将该基板定位在一可移动基板支撑件上；将一第一量的加热能量导向一下伏于该基板的一部分的第一固定位置；将一第二量的加热能量导向一下伏于该基板的一部分的第二固定位置；移动该基板支撑件以藉由将该基板的各所选区域连续定位于该第一固定位置及随后该第二固定位置处来处理该基板的所选区域；及将该基板的一部分维持在低于５００℃的温度下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·莫法特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US