【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种梯度硅铝合金的制备方法，具体地说是通过快速热压制备出在同一样品中硅含量分布不同的硅铝合金电子封装材料的方法，通过这种方法实现对电子封装材料物理性能的设计。
技术介绍
现代科学技术的发展对材料的要求日益提高。近年来，随着电子封装业向高密度、 高速度方向发展，开发具有良好导热能力的材料，以满足集成度提高带来的散热要求成为当务之急。封装作为微电路的一个组成部分起着电路支撑、密封、内外电连接、散热和屏蔽等作用，对电路的性能和可靠性具有重要影响。硅铝合金作为一种新型封装材料，由于其密度小(2. 42-2. 51g/cm3)，热膨胀系数低(6. 8 X 10-6-11 X 10-6/K)，热传导性好(120-149W/ (m · K))，容易加工成所需形状，可以电镀，同时能够满足航空航天设备和移动、计算通讯设备轻量化的要求。此外，该材料具有足够的强度和刚度，能够用传统工艺方法进行机械加工和涂镀，因此具有广阔的应用前景。但硅铝合金中存在一个矛盾，即随着硅含量的增加热导率增加，热膨胀系数减小，但由于硅含量的增加机械加工的难度相对增大，比较难进行焊接。单一组分的...
【技术保护点】
１．通过快速热压制备梯度硅铝合金电子封装材料的方法，其特征在于按以下步骤操作：ａ、将气体雾化的硅铝合金粉和纯铝粉按比例进行混料，分别获得硅的质量百分比为５－６０％的不同组分的混合料；所述不同组分的混合料中硅的质量百分比构成等差数列，所述等差数列的公差为５－１０％；ｂ、将所述不同组分的混合料按照硅的质量百分比从大到小或从小到大的顺序平铺装入模具中，不同组分的混合料平铺后在模具中的厚度相等，在氩气气氛中以３８０－５００℃、１０－５０ＭＰａ的压力预烧结１０－２０分钟，然后在６００－９００℃下烧结０．５－２小时；再降温至３８０－５００℃，并以１０－５０ＭＰａ的压力保压０．５－２小时...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋阳，杨奔，李翔鹏，丁夏楠，仲洪海，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。