【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统专利技术背景 1.专利
本专利技术总地涉及用于检测掩模版上的缺陷的方法和系统。某些实施方案涉及用于检测单管芯掩模版(die reticle)上的晶体生长(crystal growth)缺陷的方法。2.相关领域的描沭下列描述及实施例不由于其被包含在此章节中而承认为现有技术。制造诸如逻辑及存储器器件的半导体器件通常包括使用大量半导体制造工艺处理诸如半导体晶片的基底以形成所述半导体器件的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种半导体制造工艺，其涉及将一图形从一掩模版传输至设置在一半导体晶片上的一抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实施例包括但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积以及离子植入。 多个半导体器件可制造在单一半导体晶片上的一配置中并接着分成个别半导体器件。术语“掩模版”和“掩模(mask)”在这里以可交换的方式使用。掩模版一般包括具有在其上形成的不透明材料的图形化区的透明衬底，所述透明衬底诸如玻璃、硼硅酸盐玻璃(borosilicate glass)和熔融石英(fused silica) 0不透明区可以用蚀刻到透明衬底中的区来代替。本领域中...
【技术保护点】
１．一种用于检测掩模版上的缺陷的方法，所述方法包括：在晶片上的第一种区域和所述晶片上的至少一个第二种区域中印刷掩模版，其中所述掩模版使用光刻工艺参数的不同的值被印刷在不同的第一种区域中，其中所述掩模版使用所述参数的标称值被印刷在所述至少一个第二种区域中，并且其中所述掩模版是单管芯掩模版；使用晶片检查系统获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个第二种区域的一个或更多个第二图像；分开地比较针对不同的第一种区域所获取的所述第一图像与所述一个或更多个第二图像中的至少一个，以确定与所述至少一个第二图像相比，在所述第一图像中的变化；以及基于在所述第一图像的第一部分中变化大于所述第一图...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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