确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法技术方案

提供了确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的各种计算机实现的方法。一种确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法包括：比较组中的实际缺陷的数目与组中的随机产生缺陷的数目。所述实际缺陷是在晶片上检测到的。该晶片上与该组中的每一个所述实际缺陷以及该组中的每一个所述随机产生缺陷的位置接近的设计的部分是实质上相同的。该方法还包括基于比较步骤的结果确定该组中的所述实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总地涉及确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法。某些实施方案涉及藉由比较按设计分组的实际缺陷与按设计分组的随机产生缺陷来确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷。
技术介绍
下列描述及实施例不由于其被包含在此章节中而承认为现有技术。 可使用诸如电子设计自动化(EDA)、计算机辅助设计(CAD)以及其他IC设计软件的方法或系统来开发集成电路(IC)设计。此类方法及系统亦可用以从IC设计产生电路图形数据库。电路图形数据库包括代表用于该IC各层的多个布局的数据。该电路图形数据库中的数据因此可用以确定多个掩模版(reticle)的布局。掩模版的布局一般包括定义该掩模版上图形中特征的多边形。每一掩模版是用以制造该IC的各层之一。该IC的所述层可包括例如半导体基底中的结图形、栅极介电图形、栅极电极图形、层间介电质中的接点图形以及金属化层中的互连图形。 制造诸如逻辑及存储器器件的半导体器件通常包括使用大量半导体制造工艺处理诸如半导体晶片的基底以形成所述半导体器件的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种半导体制造工艺，其涉及将一图形从一掩模版传输至设置在一半导体晶片上的一抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实施例包括但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积以及离子植入。多个半导体器件可制造在单一半导体晶片上的一配置中并接着分成个别半导体器件。 检验过程是在半导体制造工艺期间用于各步骤以检测晶片上的缺陷来提高制造工艺中较高的产量并因此促进较高的利润。检验始终为制造半导体器件(例如IC)的一重要部分。然而，随着半导体器件的尺寸减小，检验对于可接受的半导体器件的成功制造变得更重要，因为较小缺陷能使所述器件出现故障。例如，随着半导体器件的尺寸减小，对减小大小的缺陷的检测已变得必要，因为甚至相对小的缺陷可能引起半导体器件中不合需要的异常。 然而，随着设计规则縮小，半导体制造工艺可能正操作为更接近于所述过程的性能能力的限制。另外，较小缺陷可能随着设计规则縮小而对器件的电参数有影响，这驱动更灵敏的检验。因此，随着设计规则縮小，由检验检测的潜在产量相关缺陷的数量引人注目地增长。因此，越来越多的缺陷可在晶片上被检测到，而且校正工艺以消除所述缺陷的全部可能是困难且昂贵的。这样，确定所述缺陷的哪些实际上对所述器件的电参数以及产量有影响可允许工艺控制方法集中在所述缺陷上，同时在很大程序上忽视其他缺陷。此外，以较小设计规则，工艺招致的故障可能在一些情况下倾向于为系统性的。即，工艺招致的故障倾向于在通常在设计内重复许多次的预定设计图形中出现故障。另外，尽管缺陷一般是与工艺和设计相互作用相关的，但是工艺招致的故障是从工艺变化现象造成的缺陷，所述现象并4不一定是由于低劣的设计所致的。系统性缺陷是仍可能在空间上分布于随机位置处的结构性重复缺陷。系统性电相关缺陷的消除是重要的，因为消除此类缺陷能对产量有明显的总体影响。 目前使用的一种用于分离系统性和随机缺陷的方法使用重复器(r印eator)进行分析。用于分离系统性和随机缺陷的另一方法依赖于一使用者定义的水平切割线(或阈值)，其是应用于帕累托图(Pareto chart)，所述帕累托示出基于设计片段(designclip)之间的相似性进行分组的缺陷。包括缺陷数目高于此切割线的组被定义为潜在系统性缺陷，但是， 一般地，系统性缺陷不是单独基于缺陷计数来识别。具体来说， 一般进行潜在系统性缺陷的审查。然而，此类方法具有若干缺点。例如，此类先前使用的方法需要使用者的介入及判断来确定阈值。另外，随机缺陷组是已知为通常具有的缺陷计数高于系统性缺陷组的缺陷计数。因此，这些先前使用的方法可能藉由将随机缺陷的组识别为潜在系统性缺陷而产生错误结果。另外，以帕累托图切割线为基础的方法对确定哪些缺陷容器(bin)包括潜在系统性缺陷可能并非有效，因为若假定一给定晶片上的所有缺陷是随机缺陷(即，假定0%系统性)，则在图示以设计为基础进行分组的结果的帕累托圏中所示的缺陷计数可能仅报告该晶片上不同电路结构的相对区域。 因此，开发用于确定缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法可以是有利的，其能加以实行而无需使用者介入及判断，而且具有比目前使用的用于区分潜在系统性缺陷与潜在随机缺陷的方法高的精度。
技术实现思路
下列对计算机实现的方法的各种实施方案的描述并非以任何方式被解读为限制所附权利要求书的主旨。 —个实施方案是关于确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法。该方法包括将组中的实际缺陷的数目与组中的随机产生缺陷的数目进行比较。在晶片上检测所述实际缺陷。该晶片上接近于该组中的每一个所述实际缺陷以及该组中的每一个所述随机产生缺陷的位置的设计的部分是实质上相同的。该方法还包括基于该比较步骤的结果确定该组中的所述实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷。 在一个实施方案中，该比较步骤包括将为所述实际缺陷产生的一帕累托图与为所述随机产生缺陷产生的一帕累托图进行比较。在另一实施方案中，该比较步骤包括确定该组中的所述实际缺陷的数目与该组中的所述随机产生缺陷的数目的比率。 在一个实施方案中，该设计的该部分对应于设计片段(design clip)。在另一实施方案中，对在该晶片上检测到的不同实际缺陷组单独地实行该方法。在一个这样的实施方案中，该晶片上接近于每一个不同组的每一个所述实际缺陷的位置的设计的部分是实质上相同的。在另一实施方案中，对在该晶片上检测的实际缺陷的所有组单独地实行该方法。在一个这样的实施方案中，该晶片上接近于全部所述组的每一个中的每一个所述实际缺陷的位置的设计的部分是实质上相同的。 在一个实施方案中，在无需使用者介入的情况下实行该方法。在一些实施方案中，藉由对晶片上的层的检验来检测所述实际缺陷，并且所述随机产生缺陷对用于该晶片上的层的检验工艺配置被产生一次而且用于对使用该检验工艺配置在多个晶片的层上检测到CN 101785009 A的缺陷实行该方法。 在一个实施方案中，该确定步骤包括若组中实际缺陷数目大于组中随机产生缺陷数目，则确定该组中的实际缺陷是潜在系统性缺陷；而且若组中实际缺陷数目并非大于组中随机产生缺陷数目，则确定该组中的实际缺陷是潜在随机缺陷。 在另一实施方案中，该确定步骤包括若组中实际缺陷数目在统计上大于组中随机产生缺陷数目，则确定该组中的实际缺陷是潜在系统性缺陷；并且若组中实际缺陷数目并非在统计上大于组中随机产生缺陷数目，则确定该组中的实际缺陷是潜在随机缺陷。 在一实施方案中，在该比较步骤之前，该方法包括基于在该晶片上检测的实际缺陷的总数目以及随机产生缺陷的总数目来将组中随机产生缺陷数目归一化(normalize)为组中实际缺陷数目。 在另一实施方案中，该方法包括将该组中的实际缺陷的数目与不同组中的不同随机产生缺陷的数目进行比较。接近于该组中的每一个所述实际缺陷的位置以及该不同组中的每一个所述不同随机产生缺陷的位置的设计的部分是实质上相同的。单独地产生所述随机产生缺陷以及所述不同随机产生缺陷。在一些此类实施方案中，该确定步骤包括基于对组中实际缺陷数目与组中随机产生缺陷数目以及该组中的不同随机产生缺陷的数目进行比较的结果来确定该组中的实际缺陷是潜在系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于确定实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷的计算机实现的方法，所述方法包括：将组中的实际缺陷数目与组中的随机产生缺陷数目进行比较，其中所述实际缺陷是在晶片上检测到的，并且其中所述晶片上与所述组中每一个所述实际缺陷以及所述组中每一个所述随机产生缺陷的位置接近的设计的部分是实质上相同的；以及基于所述比较的结果确定所述组中的所述实际缺陷是潜在系统性缺陷还是潜在随机缺陷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛林恩佛罗伦斯，艾伦派克，彼得罗斯，
申请(专利权)人：恪纳腾公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]