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提供用于检测掩模版上的缺陷的系统和方法。一种方法包括使用光刻工艺参数的不同的值，在晶片的第一种区域中印刷单管芯掩模版，并且使用所述参数的标称值，在至少一个第二种区域中印刷单管芯掩模版。所述方法还包括获取所述第一种区域的第一图像和所述至少一个...
该专利属于恪纳腾公司所有，仅供学习研究参考，未经过恪纳腾公司授权不得商用。

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