本发明专利技术能够提高表面声波谐振器的Ｑ值而使表面声波谐振器小型化。表面声波谐振器（１）在石英基板（１１）上设置有ＩＤＴ（１２），该ＩＤＴ（１２）具有激励出表面声波的电极指（１２ａ、１２ｂ），其中ＩＤＴ（１２）中的使得机电耦合系数最大的线占有率与使得表面声波的反射最大的线占有率不同，与ＩＤＴ（１２）的端部相比，ＩＤＴ（１２）的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与ＩＤＴ（１２）的中央部相比，ＩＤＴ（１２）的端部具有使得表面声波的反射更大的线占有率。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及采用压电基板的表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块直O
技术介绍
一直以来，在电子设备中广泛利用了使用表面声波(Surface Acoustic Wave: SAW)的表面声波谐振器。近年来，随着便携设备的普及，要求用于这些便携设备的表面声波谐振器小型化。 在表面声波谐振器小型化的过程中，会引起Q值降低或者CI (Crystal Impedance 晶体阻抗)值增加，存在无法充分获得表面声波谐振器的特性的问题。作为其对策，例如在专利文献1中公开了如下技术随着从梳齿状电极的中央部向两端接近，使梳齿状电极的电极指宽度与电极指间距之比即线宽比(线占有率)变小，由此提高Q值。专利文献1 日本特开昭63-135010号公报专利技术的概要专利技术要解决的问题但是，在专利文献1的表面声波谐振器的结构中，IDT(interdigital transducer) 端部处的表面声波的反射强，相比于IDT中央部，IDT端部的频率上升。由此，IDT内的表面声波能量的封闭性劣化，无法充分提高Q值。专利技术概要用于解决问题的手段本专利技术是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。本应用例的表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该 IDT具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述IDT的使得机电耦合系数最大的线占有率与使得上述表面声波的反射最大的线占有率不同，与上述IDT的端部相比，上述IDT的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与上述IDT的中央部相比，上述IDT的端部具有使得上述表面声波的反射更大的线占有率。根据该结构，在使得机电耦合系数最大的线占有率与使得表面声波的反射最大的线占有率不同的IDT中，利用线占有率进行了加权。与IDT的端部相比，IDT的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与IDT的中央部相比，IDT的端部具有使得表面声波的反射更大的线占有率。关于在表面声波谐振器中产生的表面声波的驻波，在IDT的中央部该驻波的振动移位大，在其两个外侧的端部该驻波的振动移位小。在振动移位大的中央部，为了抑制CI 值的上升而选择使得机电耦合系数提高的线占有率，在振动移位小的端部，为了提高振动能量在IDT内的封闭效果而选择使得表面声波反射增大的线占有率。由此，能够实现CI值与Q值双方良好的表面声波谐振器。因此，能够提供如下的表面声波谐振器，其能够提高Q值而使表面声波谐振器小型化，且能够降低CI值而使得功耗小。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述线占有率从上述 IDT的中央部向上述IDT的端部依次变化。根据该结构，由于线占有率从IDT的中央部向IDT的端部依次变化，所以在相邻的电极指之间，线占有率不会发生急剧变化。因此，无需将表面声波的一部分的模式变换成体波等，就能够在IDT的中央部保持较大的振动移位，维持良好的Q值。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述压电基板是欧拉角为(-1° +1°、113° 135°、士00° 49° ))的石英基板，上述IDT的中央部的线占有率nc为0.3彡nc彡0.5，并且，上述IDT的端部的线占有率ne为0.15彡ne < 0. 3。根据该结构，采用石英基板作为压电基板，并设IDT中央部的线占有率ne为 0. 3彡η c彡0. 5、IDT端部的线占有率η e为0. 15彡ne <0.3,由此能够使频率温度特性良好，实现CI值与Q值双方都良好的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的端部的线占有率η e与上述IDT的中央部的线占有率nc之比η e/η c为0. 34 < ne/nc< 1.0。如果设IDT的端部的线占有率ne与IDT的中央部的线占有率nc之比ne/nc 为0. 34 < Il e/ Il c < 1. 0，则相比于现有的表面声波谐振器，能够获得Q值提高的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的端部的线占有率η e与上述IDT的中央部的线占有率nc之比η e/η c为0. 46彡ne/nc彡0. 8。如果设IDT的端部的线占有率ne与IDT的中央部的线占有率nc之比η e/η c 为0. 46 < η e/ η c < 0. 8，则相比于现有的表面声波谐振器，能够获得进一步提高了 Q值的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的相邻上述电极指的中心与中心的间隔即电极指间隔从上述IDT的中央部向两侧端部依次变大。根据该结构，除了线占有率之外，电极指间隔也形成为从IDT的中央部向两侧端部依次变大。这样，通过将电极指间隔形成为从IDT的中央部向端部增大，能降低IDT的端部的频率，提高振动能量的封闭效果。由此，能够实现Q值良好的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT中的端部的电极指间隔PiTs与上述IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1 <PTs/PT< 1. 0355。根据该结构，如果设IDT中的端部的电极指间隔PTs与IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1 < PTs/PT < 1. 0355，则相比于现有的表面声波谐振器，能获得Q值提高的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT中的端部的电极指间隔PTs与上述IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1. 004≤PTs/ PT ≤1. 0315。根据该结构，如果设IDT中的端部的电极指间隔PTs与IDT中的中央部的电极指间隔PT之比PTs/PT为1. 004 ^ PTs/PT ^ 1. 0315，则相比于现有的表面声波谐振器，能获得Q值进一步提高的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在上述IDT的中央部具有电极指间隔相同的区域。根据该结构，由于在IDT的中央部具有电极指间隔相同的区域，因此在IDT的中央部能够保持较大的振动移位，提高Q值。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的中央部的电极指间隔相同的区域的电极指的对数Nf与上述IDT的对数N之比Nf/N为0 < Nf/N < 0. 36。根据该结构，在电极指间隔相同的区域的电极指的对数Nf与IDT的对数N之比 Nf/N处于0 < Nf/N < 0. 36的范围的情况下，能够获得良好的Q值。在本应用例的表面声波振荡器中，其特征在于，该表面声波振荡器在封装内搭载有上述记载的表面声波谐振器和电路元件。根据该结构，由于搭载有Q值提高且小型化的表面声波谐振器，所以能够提供小型的表面声波振荡器。在本应用例的表面声波模块装置中，其特征在于，该表面声波模块装置在电路基板上搭载有上述记载的表面声波谐振器。根据该结构，由于搭载有Q值提高且小型化的表面声波谐振器，所以能够提供小型的表面声波模块装置。附图说明图本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种表面声波谐振器，该表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器ＩＤＴ，该ＩＤＴ具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述ＩＤＴ的使得机电耦合系数最大的线占有率与使得上述表面声波的反射最大的线占有率不同，与上述ＩＤＴ的端部相比，上述ＩＤＴ的中央部具有使得机电耦合系数更大的线占有率，与上述ＩＤＴ的中央部相比，上述ＩＤＴ的端部具有使得上述表面声波的反射更大的线占有率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山中国人，
申请(专利权)人：爱普生拓优科梦株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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