本发明专利技术提供一种滤波器特性的陡峭性高的弹性波滤波器装置。弹性波滤波器装置（１）具有纵耦合谐振器型弹性波滤波器部（２０）。纵耦合谐振器型弹性波滤波器部（２０）包括：分别具有多个电极指（２１ｆ）～（２３ｆ）、（２１ｈ）～（２３ｈ）的第一～第三ＩＤＴ电极（２１）～（２３）、和第一以及第二反射器（２４）、（２５）。第一～第三（３）ＩＤＴ电极（２１）～（２３）在与其他ＩＤＴ电极沿弹性波传输方向相邻的端部上分别具有电极指的周期比该ＩＤＴ电极的剩余部分的电极指的周期还小的窄间距部（２１ｃ）、（２２ｃ）、（２２ｄ）和（２３ｃ）。第二ＩＤＴ电极（２２）的位于第一ＩＤＴ电极（２１）侧的窄间距部（２２ｃ）中的电极指（２２ｆ）、（２２ｈ）的个数与第二ＩＤＴ电极（２２）的位于第三ＩＤＴ电极（２３）侧的窄间距部（２２ｄ）中的电极指的个数（２２ｆ）、（２２ｈ）彼此不同。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及弹性波滤波器装置，特别涉及具有沿着弹性波传输方向排列的第一 第三IDT电极的3IDT型的纵耦合谐振器型弹性波滤波器装置。
技术介绍
由于具有纵耦合谐振器型弹性波滤波器部的弹性波滤波器装置小型 重量轻并且滤波特性优异，因此，近年来，作为便携式通信终端的RF频段或IF频段的滤波器等被经常使用。例如，下列专利文献1公开了具有3IDT型的纵耦合谐振器型弹性波滤波器部的弹性波滤波器装置的一个例子。图17是专利文献1公开的弹性波滤波器装置的构成图。如图17所示，弹性波滤波器装置100具有串联连接的第一以及第二 3IDT型纵耦合谐振器型弹性波滤波器部101、 102。在第一 3IDT型纵耦合谐振器型弹性波滤波器部101和第二 3IDT型纵耦合谐振器型弹性波滤波器部102之间的连接点103、与接地电位之间连接了弹性波谐振子104。在弹性波滤波器装置100中，弹性波谐振子104的构成方式为弹性波谐振子104 的谐振频率位于第一以及第二 3IDT型纵耦合谐振器型弹性波滤波器部101、102的通带与阻带之间的过渡带内。由此，改善了滤波器特性的陡峭性。专利文献1 JP特开平4-54011号公报如上述专利文献1所公开的那样，在弹性波谐振子104被连接于连接点103与接地电极之间的弹性波滤波器装置100中，滤波器特性的陡峭性很大程度上取决于弹性波谐振子104的Q值。为了更加提高滤波器特性的陡峭性，需要进一步增大弹性波谐振子104 的Q值。但是，由于弹性波谐振子104的Q值大体上由压电基板或电极材料来决定，所以， 增大弹性波谐振子104的Q值的方法存在很大的局限性。因此，只通过设置弹性波谐振子 104很难实现近年来所寻求的滤波器特性的更高的陡峭性。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述现有技术的缺点，提供一种滤波器特性的陡峭性高的弹性波滤波器装置。从整体上看本专利技术的话，弹性波滤波器装置具有压电基板和纵耦合谐振器型弹性波滤波器部。纵耦合谐振器型弹性波滤波器部具有第一 第三IDT电极、和第一以及第二反射器。第一 第三IDT电极在压电基板上沿着弹性波传输方向形成。第一 第三IDT电极分别具有多个电极指。第一以及第二反射器在压电基板上的形成第一 第三IDT电极的区域的弹性波传输方向的两侧形成。第——第三IDT电极的每一个在与其他IDT电极沿弹性波传输方向相邻的端部上分别具有电极指的周期比该IDT电极的剩余部分的电极指的周期还小的窄间距部。第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数与第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数彼此不同。作为本专利技术中一个特定的方面，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距 部中的电极指的个数与第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数相差2个以上。根据该构成，能更加提高滤波器特性的陡峭性。作为本专利技术中另一个特定的方面，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的周期与第三IDT电极的窄间距部中的电极指的周期彼此不同。根据该构成能抑制通带内的尖峰波纹，获得良好的频率特性。作为本专利技术中另一个特定的方面，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数少于第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的周期小于第三IDT电极的窄间距部中的电极指的周期。根据这种构成，能提高通带与阻带之间的过渡带的滤波器特性的陡峭性，并能抑制通带内的尖峰波纹。作为本专利技术中另一个特定的方面，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数少于第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的周期和第三IDT电极的窄间距部中的电极指的周期中的至少一方不是恒定的，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的周期的平均值小于第三IDT电极的窄间距部中的电极指的周期的平均值。根据这种构成，能提高通带与阻带之间的过渡带的滤波器特性的陡峭性，并能抑制通带内的尖峰波纹。作为本专利技术中另一个特定的方面，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的个数与第三IDT电极的窄间距部中的电极指的个数彼此不同。作为本专利技术中另一个特定的方面，弹性波滤波器装置具有压电基板和纵耦合谐振器型弹性波滤波器部。纵耦合谐振器型弹性波滤波器部具有第一 第三IDT电极和第一以及第二反射器。第一 第三IDT电极在压电基板上沿着弹性波传输方向形成。第——第三 IDT电极分别具有多个电极指。第一以及第二反射器在压电基板上的形成第一 第三IDT 电极的区域的弹性波传输方向的两侧形成。第——第三IDT电极的每一个在与其他IDT电极沿弹性波传输方向相邻的端部上分别具有电极指的周期比该IDT电极的剩余部分的电极指的周期还小的窄间距部。第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的个数与第三IDT电极的窄间距部中的电极指的个数彼此不同。作为本专利技术中另一个特定的方面，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的个数与第三IDT电极的窄间距部中的电极指的个数相差2个以上。根据该构成，能更加提高滤波器特性的陡峭性。作为本专利技术中另一个特定的方面，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期与第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期彼此不同。根据该构成能抑制通带内的尖峰波纹，获得良好的频率特性。作为本专利技术中另一个特定的方面，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的个数少于第三IDT电极的窄间距部中的电极指的个数，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期小于第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期。根据这种构成，能提高通带与阻带之间的过渡带的滤波器特性的陡峭性，并能抑制通带内的尖峰波纹。作为本专利技术中另一个特定的方面，第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的个数少于第三IDT电极的窄间距部中的电极指的个数，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期与第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期中的至少一方不是恒定的，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期的平均值小于第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的周期的平均值。根据这种构成，能提高通带与阻带之间的过渡带的滤波器特性的陡峭性，并能抑制通带内的尖峰波纹。作为本专利技术中另一个特定的方面，第一 第三IDT电极的窄间距部构成为由纵耦合谐振器型弹性波滤波器部的1次谐振模式引起的衰减极的频率位于处在纵耦合谐振器型弹性波滤波器部的通带与阻带之间的过渡带内。(专利技术效果) 在本专利技术中，第二 IDT电极的位于第一 IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数与第二 IDT电极的位于第三IDT电极侧的窄间距部中的电极指的个数彼此不同，或者第一 IDT电极的窄间距部中的电极指的个数与第三IDT电极的窄间距部中的电极指的个数彼此不同，因此，在纵耦合谐振器型弹性波滤波器部中产生1次谐振模式，由于该1次谐振模式， 使位于通带与阻带之间的过渡带中的插入损失增大，所以，能提高滤波器特性的陡峭性，因此，能提供具本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种弹性波滤波器装置，具有：压电基板和纵耦合谐振器型弹性波滤波器部，所述纵耦合谐振器型弹性波滤波器部具有：在上述压电基板上沿着弹性波传输方向形成并分别具有多个电极指的第一～第三ＩＤＴ电极；和在上述压电基板上形成上述第一～第三ＩＤＴ电极的区域的弹性波传输方向的两侧形成的第一以及第二反射器，上述第一～第三ＩＤＴ电极的每一个在与其他ＩＤＴ电极沿弹性波传输方向相邻的端部上分别具有电极指的周期比该ＩＤＴ电极的剩余部分的电极指的周期还小的窄间距部，上述第二ＩＤＴ电极的位于上述第一ＩＤＴ电极侧的窄间距部中的电极指的个数与上述第二ＩＤＴ电极的位于上述第三ＩＤＴ电极侧的窄间距部中的电极指的个数彼此不同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：高峰裕一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP
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