本发明专利技术能提高Ｑ值并使表面声波谐振器小型化。一种表面声波谐振器（１），该表面声波谐振器在石英基板（１１）上设置有ＩＤＴ（１２），该ＩＤＴ（１２）具有激励出表面声波的电极指，其中，将用一个电极指的宽度除以该电极指和与其两侧相邻的所述电极指的间隔的中心线与中心线之间的尺寸所得的值设为线占有率，ＩＤＴ（１２）包含如下区域，该区域形成为：使线占有率从中央部向两端部依次变化，由此与ＩＤＴ（１２）的中央部的频率相比，该区域的频率从中央部向两端部依次降低。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及采用压电基板的表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置。
技术介绍
一直以来，在电子设备中广泛利用了使用表面声波(Surface Acoustic Wave: SAW)的表面声波谐振器。近年来，随着便携设备的普及，要求用于这些便携设备的表面声波谐振器小型化。 在表面声波谐振器小型化的过程中，会引起Q值降低或者CI值增加，存在无法充分获得表面声波谐振器的特性的问题。作为其对策，例如在专利文献1中公开了如下的技术采用41°旋转Y轴切的铌酸锂基板，使梳齿状电极的电极指宽度与电极指间距之比(线宽比或线占有率)随着从梳齿状电极的中央部向两端接近而变小，来提高Q值。现有技术文献 专利文献 专利文献1 日本特开昭63-135010号公报专利技术概要 专利技术要解决的问题 但是，在专利文献1的表面声波谐振器的结构中，IDT(interdigital transducer) 端部处的表面声波的反射强，相比于IDT中央部，IDT端部的频率上升。由此，IDT内的表面声波能量的封闭性劣化，无法充分提高Q值。另外，在专利文献1中，对于压电基板，将铌酸锂基板作为对象，没有公开石英基板。用于解决课题的手段 本专利技术是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。本应用例的表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器IDT，该 IDT具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述IDT包含如下区域，该区域形成为使线占有率从中央部向两端部依次变化，由此与上述IDT的中央部的频率相比，该区域的频率从中央部向两端部依次降低。根据该结构设定为，从振动移位大的IDT中央部向着振动移位小的IDT端部，线占有率依次变化、频率依次降低。通过这样地利用线占有率对IDT进行加权，由此能够提高振动能量在IDT内的封闭效果，与现有的表面声波谐振器相比，能实现Q值更加良好的表面声波谐振器。因此，能使表面声波谐振器小型化。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，关于频率从上述IDT的中央部向两端部依次降低的区域，该区域具有比上述IDT的中央部大的线占有率。根据该结构，通过将线占有率设定为比IDT中央部大，能够降低频率。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，在上述IDT的中央部具有线占有率相同的区域，线占有率相同的区域的电极指对数Nf与上述IDT的电极指总对数 N之比Nf/N处于0 < Nf/N < 0. 59的范围。根据该结构，通过在IDT的中央部设置线占有率相同的区域，由此使中央部的振动移位变大。并且设定为，相对于振动移位大的IDT中央部，IDT端部的线占有率发生变化而使频率降低。这样，能够提高振动能量在IDT内的封闭效果，如果线占有率相同的区域的电极指对数Nf与IDT的电极指总对数N之比Nf/N处于上述范围，则与现有的表面声波谐振器相比，能实现Q值良好的表面声波谐振器。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述IDT的端部的线占有率ne与上述IDT的中央部的线占有率nc之比ne/nc处于ι < ne/nc < ι. 79的范围。如果IDT的中央部与端部的线占有率之比η e/η c处于1.0 < ne/nc < 1.79 的范围，则与没有利用线占有率实施加权的情况(ne/nc = 1.0)相比，Q值提高。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，反射器的线占有率nr 与上述IDT的端部的线占有率ne之比η r/η e处于0.65彡nr/ne^ 1.58的范围。如果反射器与IDT端部的线占有率之比η r/η e处于0.65彡nr/ne^ 1.58^ 范围，则能够获得比现有的表面声波谐振器高的Q值。在上述应用例的表面声波谐振器中，优选的是，上述压电基板是欧拉角为(-1° +1° >26.0° 40. 7°、85° 95° )的石英基板。根据该结构，通过使用欧拉角为(-1° +1°、26.0° 40.7°、85° 95° )的石英基板，能够提供频率温度特性良好且Q值提高的表面声波谐振器。在本应用例的表面声波振荡器中，其特征在于，该表面声波振荡器在封装内搭载有上述记载的表面声波谐振器和电路元件。根据该结构，由于搭载了 Q值提高、CI值降低的表面声波谐振器，因此能够提供表面声波的激励稳定、功耗低的表面声波振荡器。在本应用例的表面声波模块装置中，其特征在于，该表面声波模块装置在电路基板上搭载有上述记载的表面声波谐振器。根据该结构，由于搭载有Q值提高、CI值降低的表面声波谐振器，因此能够提供表面声波的激励稳定、功耗降低的表面声波模块装置。附图说明 图1是示出第1实施方式的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图2是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图3是示出第1实施方式的表面声波谐振器中的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图4是示出石英基板的切取角度以及表面声波传播方向的说明图。图5是说明线占有率的示意图。图6是示出第1实施方式中的表面声波谐振器的线占有率η与频率之间的关系的曲线图。图7是示出第1实施方式中的将IDT端部的线占有率η e除以IDT中央部的线占有率nc所得的值(ile/ilc)与Q值之间的关系的曲线图。图8是示出变形例1中的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图9是示出变形例1中的表面声波谐振器的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图10是示出变形例1中的表面声波谐振器的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图11是示出变形例1中的将IDT端部的线占有率ne除以IDT中央部的线占有率nc所得的值(ne/nc)与Q值之间的关系的曲线图。图12是示出变形例2中的表面声波谐振器的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图13是示出变形例2中的表面声波谐振器的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图14是示出变形例2中的将反射器的线占有率nr除以IDT端部的线占有率Jle 所得的值(nr/lie)与Q值之间的关系的曲线图。图15是示出第2实施方式中的表面声波谐振器的结构的平面示意图。图16是示出第2实施方式中的表面声波谐振器的电极指位置与电极指间隔之间的关系的说明图。图17是示出第2实施方式中的表面声波谐振器的电极指位置与线占有率之间的关系的说明图。图18是示出第2实施方式中的将IDT中央部的对数Nf除以IDT的对数N所得的值(Nf/N)与Q值之间的关系的曲线图。图19是示出第2实施方式中的将IDT端部的线占有率η e除以IDT中央部的线占有率nc所得的值(ne/nc)与Q值之间的关系的曲线图。图20是示出第3实施方式的表面声波振荡器的概略剖视图。图21是第4实施方式的搭载了表面声波谐振器而构成接收机模块的电路框图。图22是示出现有的表面声波谐振器的概要的说明图。图23是说明线占有率的示意图。具体实施例方式以下，根据附图来说明使本专利技术具体化的实施方式。此外，在用于以下说明的各个附图中，适当地变更本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种表面声波谐振器，该表面声波谐振器在压电基板上设有叉指式换能器ＩＤＴ，该ＩＤＴ具有激励出表面声波的电极指，其特征在于，将用上述电极指中的一个电极指的宽度除以如下尺寸所得的值设为线占有率，该尺寸是上述一个电极指和与该电极指的一侧相邻的电极指的间隔的中心线与上述一个电极指和与该电极指的另一侧相邻的电极指的间隔的中心线之间的尺寸，上述ＩＤＴ包含如下区域，该区域形成为：使线占有率从中央部向两端部依次变化，由此与上述ＩＤＴ的中央部的频率相比，该区域的频率从中央部向两端部依次降低。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山中国人，
申请(专利权)人：爱普生拓优科梦株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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