半导体存储器件制造技术

为了实现不会使存储单元的面积增大地增大存储单元中的单位面积电容值的半导体存储器件，存储单元包括晶体管、存储元件、第一电容器和第二电容器。第一电容器包括晶体管中所包括的半导体膜、栅极绝缘膜和栅电极，并且与晶体管同时形成。第二电容器包括存储元件中所包括的电极和在电极上形成的绝缘膜和电极。并且，第二电容器是在第一电容器上形成的。这样，形成与存储元件并联连接的第一电容器和第二电容器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

涉及半导体存储器件。并且，
涉及其上安装有半导体存储器件 的半导体器件。
技术介绍
近年来，半导体存储器件已用于多种电子器件。半导体存储器件分类成当断电时 丢失所存储的数据的易失性存储器和当断电时保留所存储的数据的非易失性存储器。取决 于数据的类型和用途，这些存储器分开使用。在这些存储器当中，从安全的观点来看，作为一种非易失性存储器，每一个含有多 个只可写入一次的存储单元的存储器是优选的，因为不易于进行数据篡改。注意，该存储器 被称为一次性可编程存储器(下文称为OTP存储器)等。作为一种OTP存储器，人们已经提出了使用金属形成一个电极，并且通过使非晶 硅与金属反应成为硅化物使反熔丝导通的反熔丝存储器(例如，参见参考文献1)。另外，人们已经提出了与OTP存储元件并联地设置写入时补偿电力的电容器(下 文称为辅助电容器)的电路(例如，参见参考文献2)。特别地，在写入时发生硅化反应的 OTP存储器中，通过设置辅助电容器可以实现高成品率。参考文献1 日本已公布专利申请第07_297四3号；参考文献2 日本已公布专利申请第02-023653号。
技术实现思路
然而，在将辅助电容器设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种包含存储单元的半导体器件，所述存储单元包含：晶体管，其包括第一半导体膜、在所述第一半导体膜上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、源电极、和漏电极；存储元件，其包括第一电极、在所述第一电极上的第二半导体膜、和在所述第二半导体膜上的第二电极；第一电容器，其包括第三电极、在所述第三电极上的第一绝缘膜、和在所述第一绝缘膜上的第四电极；以及在所述第一电容器上的第二电容器，所述第二电容器包括第五电极、在所述第五电极上的第二绝缘膜、和在所述第二绝缘膜上的第六电极，其中所述源电极和所述漏电极之一与所述第二电极、所述第三电极和所述第五电极电连接，其中所述第一电极与所述第四电极和所述第六电极电连接，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤利彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP