【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及存储元件，其能响应于包括离子源层的存储层中电性质的改变而存储 二进制信息或包括大于二进制的值的多值信息。
技术介绍
对于即使关闭电源时其中的信息也不会被删除的非易失性存储器，以前提出了例 如闪存存储器、FeRAM(铁电随机存储器)、MRAM(磁阻随机存储器)等类型。这些类型的存 储器能够在没有电力供应的情况下将写入的信息长时间保持。然而，此类存储器都各自存 在其优缺点。换句话说，闪存存储器封装密度较高，但是在操作速度方面有不足。！^RAM在 构建更高的封装密度的微型化方面有局限性，同时在制造工艺方面也有问题。MRAM在功耗 方面有问题。考虑到这些，提出了一种新型的存储元件，其在存储元件的微型化方面特别有利。 这种存储元件的结构是在两个电极之间夹持包括特定金属的离子导体。这种存储元件中， 两个电极中的一个被配置成包含与离子导体中包含的相同的金属。这种结构允许在向两个 电极施加电压时，这个电极中的金属以离子形式扩散进入离子导体，从而改变离子导体的 电阻值或诸如电容的其他性质。作为一个例子，专利文献1和非专利文献1中都描述了这种 结构的存储装置。特别是专...
【技术保护点】
１．一种存储元件，其包括：第一电极和第二电极；和设置在所述第一电极和第二电极之间的带有离子源层的存储层，其中所述离子源层至少包含Ｚｒ和Ａｌ以及选自Ｔｅ、Ｓ和Ｓｅ的至少一种氧族元素，所述离子源层中Ａｌ的含量在３０原子％至５０原子％的范围内，包括两个端点。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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