在一些方面，提供了一种制造存储器单元的方法，该方法包括：（１）在衬底上制造第一导体；（２）在第一导体上选择性制造碳纳米管（“ＣＮＴ”）材料，通过（ａ）在第一导体上制造ＣＮＴ籽晶层，其中ＣＮＴ籽晶层包括硅锗（“Ｓｉ／Ｇｅ”），（ｂ）平坦化所沉积的ＣＮＴ籽晶层表面，且（ｃ）在ＣＮＴ籽晶层上选择性制造ＣＮＴ材料；（３）在ＣＮＴ材料上制造二极管；且（４）在二极管上制造第二导体。提供了众多的其他方面。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】采用形成于底导体上的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转 变元件的存储器单元及其制造方法相关申请的引用该申请要求2008年4月11日提交的名称为“Memory Cell That EmploysA Selectively Fabricated Carbon Nano—tube Reversible Resistance-SwitchingElement Formed Over A Bottom Conductor And Methods of Forming the Same，，的美国临时专利申 请第61/044，414号的权益和2009年3月25日提交的名称为“Memory Cell That Employs A Selectively Fabricated Carbon Nano-TubeReversible Resistance-Switching Element Formed Over A Bottom ConductorAnd Methods Of Forming The Same，，的美国专利申请 第12/410，789号的优先权。上述两个专利申请均在此为了所有的目的通过引用的方式整 体合并于此。本申请涉及下列专利申请，下列申请中的每一个均通过引用的方式整体合并 于此(1)2009 年 3 月 25 日提交的，名为"Memory Cell That EmploysA Selectively Fabricated Carbon Nano-Tube Reversible Resistance-SwitchingElement Formed Over A Bottom Conductor And Methods Of Forming TheSame” 的美国专利申请第 12/410，789 号；(2)2007 年 12 月 31 日提交的，名为 “Memory Cell That Employs A Selectively Fabricated Carbon Nano-TubeReversible Resistance-Switching Element Formed On A Bottom Conductor AndMethods Of Forming The Same”的美国专利申请第 11/968，156 号；2007年 12 月 31 日提交的，名为"Memory Cell With Planarized Carbon NanotubeLayer And Methods Of Foming The Same” 的美国专利申请第 11/968，159 号；(4)2007 年 12 月 31 日提交的，名为“Memory Cell That Employs A SelectivelyFabricated Carbon Nano-Tube Reversible Resistance-Switching Element AndMethods Of Forming The Same"的美国专利申请第11/968，1 号；和(5) 2008年4月11日提交的，名为 "Memory Cell That Employs A Selectively FabricatedCarbon Nano-Tube Reversible Resistance-Switching Element And Methods OfForming The Same” 的美国专禾丨J申请第 61/044，406 号。
技术介绍
由可逆电阻转变元件形成的非易失性存储器是众所周知的。例如，2007年12月31 日提交的名为“Memory Cell that Employs A Selectively FabricatedCarbon Nano-Tube Reversible Resistance Switching Element And Methods Offorming The Same，，(“' 154 号申请”)的美国专利申请第11/968,1 号，其在此为了所有的目的通过引用整体合并于 此，其描述了一种可重复写入非易失性存储器单元，该存储器单元包括和碳基可逆电阻率 转变材料(诸如碳)串联的二极管。然而，利用可重复写入的电阻率转变材料制作存储器件是困难的。希望有利用电 阻率转变材料制造存储器件的改进方法。
技术实现思路
在本专利技术的第一方面，提供了一种制作存储器单元的方法，该方法包括(1)在衬 底上制造第一导体；( 在第一导体上选择性地制造碳纳米管(“CNT”)材料，通过(a)在 第一导体上制造CNT籽晶层，其中CNT籽晶层包括硅锗(“Si/Ge”)； (b)平坦化所述沉积 CNT籽晶层的表面；且(c)在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料；(3)在CNT材料上制造 二极管；且(4)在二极管上制造第二导体。在本专利技术的第二方面，提供了一种制作存储器单元的方法，该方法包括(1)在衬 底上制造第一导体；( 在第一导体上通过在第一导体上选择性制造碳纳米管(“CNT”)材 料来制造可逆电阻转变元件，通过(a)在第一导体上制造CNT籽晶层，其中CNT籽晶层包 括硅锗；(b)平坦化所述沉积CNT籽晶层的表面；且(c)在CNT籽晶层上选择性地制造CNT 材料；(3)在可逆电阻转变元件上制造垂直多晶二极管；且(4)在垂直多晶二极管上制造第 二导体。在本专利技术的第三方面，提供了一种存储器单元，其包括(1)第一导体；( 被图案 化和刻蚀的CNT籽晶层，包括硅锗；(3)可逆电阻转变元件，包括在CNT籽晶层上选择性制 造的CNT材料；(4)在可逆电阻转变元件上形成的二极管；和( 在二极管上形成的第二导 体。在本专利技术的第四方面，提供了多个非易失性存储器单元，所述存储器单元包括(1) 多个在第一方向延伸且大致平行、大致共面的第一导体；( 多个二极管；C3)多个可逆电 阻转变元件，每一个可逆电阻转变元件包括(a)包括在第一导体的其中一个上制造的硅 锗的被图案化和刻蚀的CNT籽晶层；和(b)在CNT籽晶层上选择性地制造的CNT材料层；和 (4)多个在和第一方向不同的第二方向延伸且大致平行、大致共面的第二导体，其中，在每 个存储器单元中，其中二极管的其中之一在可逆电阻转变元件的其中一个上形成，且被设 置在第一导体的其中一个和第二导体的其中一个之间。在本专利技术的第五方面，提供一种单片三维存储阵列，其包括(1)在衬底上形成的 第一存储器级，该第一存储器级包括多个存储器单元，其中第一存储器级的每一个存储器 单元包括(a)第一导体；(b)可逆电阻转变元件，包括在第一导体上的被图案化和刻蚀的 碳纳米管(“CNT”)籽晶层以及在CNT籽晶层上选择性制造的CNT材料层，该籽晶层包括硅 锗；(c)在可逆电阻转变元件上形成的二极管；(d)和在二极管上形成的第二导体；(2)和 在第一存储器级上单片地形成的至少一个第二存储器级。根据本专利技术的这些以及其他实施 例提供很多的其他方面。本专利技术的其他特征和方面通过下文的具体描述、所附的权利要求以及附图得以更 清楚地体现。附图说明本专利技术的特征通过下文的详细描述和下列附图的结合可以被更清楚地理解，附图 中同样的参考标号标示相同的元件，且其中图1是根据本发本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制造存储器单元的方法，所述方法包括： 在衬底上制造第一导体； 在所述第一导体上选择性地制造碳纳米管（“ＣＮＴ”）材料，通过： 在所述第一导体上制造ＣＮＴ籽晶层，其中的ＣＮＴ籽晶层包括硅锗； 平坦化所述沉积ＣＮＴ籽晶层的表面；且在ＣＮＴ籽晶层上选择性地制造ＣＮＴ材料； 在所述ＣＮＴ材料上制造二极管；且 在所述二极管上制造第二导体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿普里尔·D·施里克，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US
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