包括具有被电隔离的柱的二极管的共享的二极管器件部的叠轨式堆叠的非易失性存储器阵列制造技术

提供了一种集成电路及及其制造方法，该集成电路包括导体之间垂直取向的二极管结构。二端子装置例如无源元件存储器单元可以包括与反熔丝和／和其它状态改变元件串连的二极管操纵元件。所述装置使用柱结构在所述上和下导体组的交点形成。所述柱结构的高度通过每个柱的部分二极管与导体的其中之一形成叠轨式堆叠而被减小。在一实施例中，二极管可以包括第一导电类型的第一二极管器件和第二导电类型的第二二极管器件。所述二极管器件其中之一的一部分被划分为第一和第二部，所述部的其中之一形成为叠轨式堆叠，该部在该叠轨式堆叠与使用柱形成的其它二极管共享该叠轨式堆叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
根据本公开的实施例涉及包含非易失性存储器单元阵列的集成电路并且具体地 涉及结合无源元件存储器单元的阵列。
技术介绍
具有可探测水平的状态改变(例如电阻变化或者相变)的材料，被用于形成各种 类型的非易失性半导体基存储器装置。例如，简单的反熔丝被用于在一次场可编程(OTP) 存储器阵列中二进制数据存储，其给存储器单元的较低电阻的初始物理状态指派第一逻辑 状态，例如逻辑“0”，并且给单元的较高电阻的物理状态指派第二逻辑状态，例如逻辑“ 1 ”。 一些材料可以使得其电阻在其初始电阻的方向被转换回来。这些类型的材料可以被用于形 成可重写存储器单元。在材料中可探测的电阻的多个水平可以进而被用于形成多状态装 置，该多状态装置可以或者不可以重写。具有记忆效应例如可探测水平的电阻的材料经常与操纵元件(steeringelement) 串连从而形成存储器单元。二极管或者其它具有非线性传导电流的装置被典型地用作操纵 元件。单元的记忆效应经常被称为状态改变元件。在许多实施中，一组字线和位线基本垂 直配置，存储器单元在各字线和位线的交点。二端子存储器单元可以在交点被构造，一个端 子(例如，单元或者单元的分离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路装置，包括：　　在衬底上方的第一方向延伸的第一导体；　　包括第二导体和第一二极管器件的第一部的第一组带，所述第一组带在所述衬底上方在第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向基本垂直；和　　在所述第一导体和所述第一组带之间形成的柱，所述柱包括所述第一二极管器件的第二部、第二二极管器件、和串连于所述第一导体和所述第一组带之间的状态改变元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏堪杰，
申请(专利权)人：桑迪士克三D有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US