温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种存储元件和一种存储装置，其中反复操作的频率可以提高，而且在写入和删除的高速操作性能和在高速操作期间电阻值保持性能之间取得了良好的平衡。存储层５包括离子源层３。离子源层３包括Ｚｒ（锆）、Ｃｕ（铜）和Ａｌ（铝）作为金属元素，还包括...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。