【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在两个电极之间具有高电阻层和离子源层的存储元件，其中所述高电 阻层的电阻值主要由电压施加来改变，还涉及包括该元件的存储装置。
技术介绍
在诸如计算机的信息设备中，广泛使用高密度、高速运行的DRAM(动态随机存储 器)。但是，DRAM的问题是制造成本很高，因为相对于诸如逻辑电路和信号处理电路等用于 电子设备的通用电路来说其制造过程复杂。此外，DRAM是易失性存储器，当关闭电源时其 中的信息丢失，所以需要频繁进行刷新操作。于是，提出了非易失性存储器，当关闭电源时其中的信息并不丢失，例如 !^eRAM(铁电随机存储器)、MRA(磁阻随机存储器)等。在这些存储器中，在不提供电力的 情况下写入的信息可以保持很长时间，由于不需要刷新操作，因而能耗大为降低。然而，在 上述这些非易失性存储器中，随着存储单元尺寸的减小，确保存储器的性能变得越发困难。 于是，提出了适应存储单元微型化的存储器，例如专利文献1和非专利文献1、2中描述的新 型存储元件。例如，专利文献1和非专利文献1中描述的存储元件中，在两个电极之间提供含有 Cu(铜)、Ag(银)和Si(锌)的至少一种金属...
【技术保护点】
１．一种存储元件，其包含在第一电极和第二电极之间的由至少含有Ｔｅ的氧化物制成的高电阻层、和含有至少一种金属元素和选自Ｔｅ、Ｓ和Ｓｅ的至少一种氧族元素的离子源层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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