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本发明涉及一种能够同时满足重复操作次数和低压操作性能这两种存在平衡制约关系的要求的存储元件。该存储元件在底部电极３和顶部电极６之间具有高电阻层４和离子源层５。高电阻层４由含Ｔｅ的氧化物制成。除Ｔｅ之外的任何其它元素，例如Ａｌ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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