【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及闪存存储器器件，并且更具体地涉及用于在这种闪存存储器器件 中的控制器和存储器阵列之间接口的技术。
技术介绍
许多存储器器件(例如闪存存储器器件)使用模拟存储器单元来存储数据。每个 存储器单元存储模拟值，也被称为存储值。存储值表示存储在单元中的信息。在闪存存储 器器件中，例如，每个模拟存储器单元典型地存储某一电压。对于每个单元的可能的模拟值 的范围典型地被分成多个阈值区域，每个区域与一个或更多个数据位值对应。通过写入与 期望的一个或更多个位对应的标称模拟值来将数据写到模拟存储器单元。单电平单元(SLC)闪存存储器器件例如每个存储器单元存储一位(或两个可能的 存储器状态)。另一方面，多电平单元(MLC)闪存存储器器件每个存储器单元存储两个或 更多个位(即，每个单元具有四个或更多的可编程的状态)。在多电平单元器件中，使用至 少三个阈值电平来限定四个或更多个的不同的阈值状态。因此，独立的单元的工作范围被 分成增大数量的状态，并且每个状态的范围比对于单电平单元器件的小。因此，在多电平单 元器件中的任何单个位的可靠性一般比单电平单元器件的可靠性低。对于多电...
【技术保护点】
１．一种用于在闪存存储器控制器和闪存存储器阵列之间接口的方法，包括：使用时钟信号的第一边沿发送对于所述闪存存储器阵列中的目标单元的数据；以及使用所述时钟信号的第二边沿发送对于所述目标单元的额外的信息。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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