可固化的有机基聚硅氧烷组合物和半导体器件制造技术

技术编号:7134812 阅读:288 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种可固化的有机基聚硅氧烷组合物包含:(A)在一个分子中含有至少两个烯基和所有与硅键合的一价烃基的至少30mol%为芳基形式的有机基聚硅氧烷;(B)在一个分子中含有至少两个与硅键合的氢原子和所有与硅键合的有机基团的至少15mol%为芳基形式的有机基聚硅氧烷;(C)含有烯基、芳基和含环氧基的有机基团的支链有机基聚硅氧烷;和(D)氢化硅烷化催化剂。该组合物能够形成具有高折射率和对基板的强粘合性的固化体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种可固化的有机基聚硅氧烷组合物和使用该组合物的半导体器件。
技术介绍
可通过氢化硅烷化反应固化的可固化的有机基聚硅氧烷组合物用作制造光学半 导体器件的半导体部件(如光耦合器、发光二极管、固态成像元件等)中的保护剂或涂布 剂。因为由该光学元件所接收或从这些元件所发射的光穿过前述保护剂或涂布剂的层,所 以要求该层应既不吸收光也不耗散光。在通过氢化硅烷化反应固化后形成具有高透射率和折射率的固化产物的可固化 的有机基聚硅氧烷组合物可例举包含以下组分的可固化的有机基聚硅氧烷组合物在一个 分子中含有至少两个烯基并且所有与硅键合的有机基团的至少20mol%为芳基形式的有机 基聚硅氧烷;含有与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷;在一个分子中含有所有与硅键合 的有机基团的至少5m0l%为烯基形式、所有与硅键合的有机基团的至少5m0l%为芳基形 式、所有与硅键合的有机基团的至少5mol%为烷氧基形式和所有与硅键合的有机基团的至 少5m0l%为环氧有机基团形式的有机基聚硅氧烷;和氢化硅烷化催化剂(参见日本未审专 利申请公开(以下简称“Kokai”)2007-327019)。另一个实例为包含以下组分的可固化的 有机基聚硅氧烷组合物在一个分子中含有所有与硅键合的有机基团的至少0. 5mol%为 烯基形式和所有与硅键合的有机基团的至少25mol%为芳基形式的有机基聚硅氧烷;在一 个分子中含有平均至少两个与硅键合的芳基和平均至少两个与硅键合的氢原子的有机基 聚硅氧烷;和氢化硅烷化催化剂(参见Kokai 2008-1828)。然而,上述可固化的有机基聚硅氧烷组合物产生的固化产物具有低透光率,并且 除此之外,由于固化产物对基板表面具有差的粘合性,因此容易从基板剥落。本专利技术的一个目的是提供一种可固化的有机基聚硅氧烷组合物,其产生具有高折 射率、高透光率和对基板的良好粘合性的固化体。本专利技术还提供一种半导体器件,该半导体 器件具有由于使用前述组合物的固化体涂布而具有优异可靠性的半导体部件。
技术实现思路
本专利技术的可固化的有机基聚硅氧烷组合物包含(A)具有下列平均结构式的有机基聚硅氧烷R1aSiOi4^72(其中R1表示未取代或卤素取代的一价烃基;然而,在一个分子中,由R1表示的 至少两个基团为烯基且由R1表示的所有基团的至少30mOl%为芳基;和“a”为0. 6-2. 1的 数);(B)在一个分子中含有至少两个与硅键合的氢原子和所有与硅键合的有机基团的 至少15mol%为芳基形式的有机基聚硅氧烷;(C)具有下列平均单元式的支链有机基聚硅氧烷(R2SiO372) b (R22SiO272) c (R23SiOl72) d (SiO472) e (X01/2) f{其中每个R2独立地表示烷基、烯基、芳基或含环氧基的有机基团;然而,在一个 分子中,由R2表示的所有基团的至少5m0l%为烯基,由R2表示的所有基团的至少15m0l% 为芳基,和由R2表示的所有基团的至少10mol%为含环氧基的有机基团;X表示氢原子或烷 基;和“b”为正数,“C”为0或正数,“d”为0或正数,“e”为0或正数,“f”为0或正数,“c/ b” 为 0-10 的数,“d/b” 为 0-5 的数,“e/(b+C+d+e) ” 为 0-0. 3 的数,和 “f/(b+c+d+e) ” 为 0-0. 02的数};和(D)氢化硅烷化催化剂;其中组分⑶的用量为使得组分⑶中含有的与硅键合的氢原子与组分㈧和 (C)中含有的烯基的摩尔比在0. 1-5的范围内;组分(C)的含量为0. 1-20质量份,以100质量份组分㈧与⑶之和计;和组分(D)的含量为足以促进组合物的固化。在本专利技术的组合物中,组分(A)为下列通式的直链有机基聚硅氧烷R13SiO(R12SiO)mSiR13(其中R1独立地表示未取代或卤素取代的一价烃基;然而,在一个分子中,由R1表 示的至少两个基团为烯基且由R1表示的所有基团的至少30mOl%为芳基;和“m”是5-1000 的整数);和/或下列平均单元式的支链有机基聚硅氧烷 (R1SiO372) g (R12SiO272) h(R13SiOl72) i (SiO472) j (XO172) k{其中R1如以上所定义;然而,在一个分子中,由R1表示的至少两个基团为烯基且 由R1表示的所有基团的至少30mOl%为芳基;和“g”为正数,“h”为0或正数,“i”为0或正 数,“ j”为0或正数,“k”为0或正数,“h/g”为0-10的数,“i/g”为0-5的数,“ j/(g^i+i+j),, 为 0-0. 3 的数,和"k/ (g+h+i+j),,为 0-0. 4 的数}。在前述可固化的有机基聚硅氧烷组合物中,组分(B)为由下列通式表示的直链有 机基聚硅氧烷R33SiO(R32SiO)nSiR33(其中R3独立地表示氢原子,或未取代或卤素取代的一价烃基;然而,在一个分子 中,由R3表示的至少两个基团为氢原子且由R3表示的所有基团的至少15摩尔%为芳基;和 “η”为5-1000的整数);和/或具有下列平均单元式的支链有机基聚硅氧烷(R3SiO372) p (R32SiO272) q (R33SiOl72) r (SiO472) s (X01/2) t{其中R3如以上所定义;然而,在一个分子中,由R3表示的至少两个基团为氢原子 且由R3表示的所有基团的至少15摩尔%为芳基;和“P”为正数,“q”为0或正数,“r”为 0或正数,“S”为0或正数,“t”为0或正数;“q/p”为0-10的数,“r/p,,为0-5的数,"s/ (p+q+r+s),,为 0-0. 3 的数,和"t/ (p+q+r+s),,为 0-0. 4 的数}。组分(C)的质均分子量可为至少2,000。在上述可固化的有机基聚硅氧烷组合物中,在可见光(589nm)中的折射率(在 25°C下)可等于或大于1.5。此外,通过固化该组合物获得的固化产物可具有等于或大于 80%的透射率(在25°C )下。本专利技术的半导体器件含有包含上述可固化的有机基聚硅氧烷组合物的固化产物 的半导体部件。半导体部件可包括发光元件。专利技术效果本专利技术的可固化的有机基聚硅氧烷组合物产生具有高折射率、高透光率和对基板 的良好粘合性的固化体。本专利技术的半导体器件具有由于使用前述组合物的固化体涂布而具 有优异可靠性的半导体部件。附图简述附图说明图1是根据本专利技术的半导体器件的一个实施方案制造的LED的剖视图。在说明书中使用的参考数字1 聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂壳体2 LED 晶片3 内部引线4 接线5 可固化的有机基聚硅氧烷组合物的固化产物专利技术详述下列为本专利技术的可固化的有机基聚硅氧烷组合物的更详细描述。组分(A)为组合物的主要组分之一。该组分由下列平均结构式表示=R1aSiOi^2在上式中,R1表示未取代或卤素取代的一价烃基,其可例举甲基、乙基、丙基、丁 基、戊基、己基、庚基或类似的烷基;乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或类似的烯基; 苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基或类似的芳基;苯甲基、苯乙基或类似的芳烷基;和3-氯丙 基、3,3,3_三氟丙基或类似的卤素取代的烷基。然而,在一个分子中,由R1表示的至少两个 基团为烯基。这些烯基之中最优选乙本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种可固化的有机基聚硅氧烷组合物,包含:  (A)下列平均结构式的有机基聚硅氧烷:  R↑[1]↓[a]SiO↓[(4-a)/2]  其中R↑[1]表示未取代或卤素取代的一价烃基;然而,在一个分子中,由R↑[1]表示的至少两个基团为烯基且由R↑[1]所表示的所有基团的至少30mol%为芳基;和“a”为0.6-2.1的数;  (B)在一个分子中含有至少两个与硅键合的氢原子和所有与硅键合的有机基团的至少15mol%为芳基形式的有机基聚硅氧烷;  (C)下列平均单元式的支链有机基聚硅氧烷:  (R↑[2]SiO↓[3/2])↓[b](R↑[2]↓[2]SiO↓[2/2])↓[c](R↑[2]↓[3]SiO↓[1/2])↓[d](SiO↓[4/2])↓[e](XO↓[1/2])↓[f]  其中每个R↑[2]独立地表示烷基、烯基、芳基或含环氧基的有机基团;然而,在一个分子中,由R↑[2]表示的所有基团的至少5mol%为烯基,由R↑[2]所表示的所有基团的至少15mol%为芳基,和由R↑[2]所表示的所有基团的至少10mol%为含环氧基的有机基团;X表示氢原子或烷基;和“b”为正数,“c”0或正数,“d”为0或正数,“e”为0或正数,“f”为0或正数,“c/b”为0-10的数,“d/b”为0-5的数,“e/(b+c+d+e)”为0-0.3的数,和“f/(b+c+d+e)”为在0-0.02的数;和  (D)氢化硅烷化催化剂;  其中组分(B)的用量为使得组分(B)中含有的与硅键合的氢原子与组分(A)和(C)中含有的烯基的摩尔比在0.1-5的范围内;  组分(C)的含量为0.1-20质量份,以100质量份组分(A)与(B)之和计;和组分(D)的含量为足以促进组合物的固化。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐川贵志
申请(专利权)人:道康宁东丽株式会社
类型:发明
国别省市:JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1