用于半导体晶片的暂时粘合剂以及使用所述粘合剂制造半导体设备的方法技术

技术编号:7125936 阅读:242 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供用于半导体晶片的暂时粘合剂,其能减少对半导体晶片的损坏、容易分离并能缩短热分解所需的时间,还提供使用所述暂时粘合剂制造半导体设备的方法。本发明专利技术提供了用于半导体晶片的暂时粘合剂,其用于将半导体晶片暂时粘结在支持基板上以加工半导体晶片,并用于在加工之后通过加热从支持基板上分离半导体晶片,所述暂时粘合剂包含树脂组合物,所述树脂组合物的失重95%的温度和失重5%的温度之间的差为1摄氏度≤(失重95%的温度)-(失重5%的温度)≤300摄氏度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及加工过程中暂时粘结用于半导体晶片的暂时粘合剂、和使用所述粘合剂制造半导体设备的方法以及树脂组合物作为暂时粘结剂的用途。
技术介绍
为了进行诸如在半导体晶片上研磨和蚀刻的加工,有必要暂时粘结半导体晶片, 并且对此已经提出多种方法。例如,目前常使用的方法为将半导体晶片粘结在用于粘结的膜上部,所述膜为在其上已经具有粘合剂层的PET膜。使用该方法,如果将通常用于研磨的背面研磨机的研磨精度(大约为Iym)和通常用于固定晶片的BG(背面研磨)胶带的厚度精度(大约为5μπι)加在一起,则而超出所需的厚度精度,便可引起被研磨晶片的厚度变化的危险。此外,当为了穿透硅通孔(TSVs)加工晶片时,在使用BG胶带连接进行通孔和膜的形成,但是在该情况下温度达到大约150摄氏度,并且这不幸地增加了 BG胶带的粘附力。此外,BG胶带的粘合剂层能被用于膜形成的电镀化学品所腐蚀,由此发生剥落。此外,在某些情况下,例如复合半导体中的那些易碎晶片可能受机械研磨而损坏, 因此通过蚀刻使它们变薄。在该蚀刻过程中,如果蚀刻量的目标仅为去除应力则通常没有问题,但是在进行适于蚀刻的若干微米情况下,BG胶带则可能被蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于半导体晶片的暂时粘合剂,其用于将半导体晶片暂时粘结在支持基板上以加工半导体晶片,并用于在加工之后通过加热从支持基板上分离半导体晶片,所述暂时粘合剂包含树脂组合物,所述树脂组合物的失重95%的温度和失重5%的温度之间的差为1摄氏度≤(失重95%的温度)-(失重5%的温度)≤300摄氏度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:竹内江津
申请(专利权)人:住友电木株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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