【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在向微细化发展的半导体装置的领域中，作为半导体的层间绝缘层，正在研究各种具有多孔结构的低介电常数的材料(以下有时称为“low-k材料”)。此种具有多孔结构的半导体层间绝缘层中，若为了使介电常数进一步下降而增大孔隙率，则作为配线材料而埋入的铜等金属成分容易进入至半导体层间绝缘层中的细孔中，有时介电常数上升，或产生泄漏电流。另一方面，例如日本特表2009-503879号公报中公开了如下技术在使用多孔低介电常数材料的半导体装置的制造方法中，在蚀刻后的湿式清洗中使用胶束状的表面活性剂，由此来将通过蚀刻而形成的槽的侧壁面的细孔加以密封。另外，例如国际公开第09/012184号小册子中公开了如下技术当low_k材料具有疏水性的表面时，对该表面赋予聚乙烯醇系亲水亲油性聚合物，由此来控制材料的亲水性、 疏水性。进而，例如于日本特开2006-352042号公报中，公开了一种含有阳离子性聚合物及表面活性剂的半导体研磨用组合物。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，日本特表2009-503879号公报所记载的技术中，有时并非胶束构造的表面活性剂会进入...
【技术保护点】
１．一种半导体用密封组合物，其含有具有２个以上的阳离子性官能团的重均分子量为２０００～１０００００的树脂，以元素基准计钠及钾的含量分别为１０重量ｐｐｂ以下，且通过动态光散射法而测定的体积平均粒径为１０ｎｍ以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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