存储卡和半导体器件制造技术

技术编号:7123564 阅读:153 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本公开涉及存储卡和半导体器件。存储卡(1)包括控制器(4)和非易失性半导体存储器(3)。控制器(4)管理第一擦除字组大小的半导体存储器中的第一地址与除第一擦除字组大小之外的第二擦除字组大小的半导体存储器中的第二地址之间的通信。非易失性半导体存储器(3)是第二擦除字组大小的存储器。控制器(4)通过第二地址执行对非易失性半导体存储器(3)的存取。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有非易失性半导体存储器的储存卡,具体言之,涉及一种具有与非门快闪存储器的存储卡以及嵌入在该存储卡内的半导体器件。
技术介绍
构造一些不同的快闪存储卡使主机管理存储卡内的物理状态(指示哪个物理字组地址中包括哪个逻辑扇区地址或哪个字组处于擦除状态)。在这样的存储卡中,主机直接控制存储卡的快闪存储器。主机采用快闪存储器的写入单位和擦除单位,并使用给定的字组大小作为擦除单位对快闪存储器执行写入存取和擦除存取。近来已经注意到存储卡中擦除单位的字组大小大于以前。日本专利申请KOKAI公开案No. 2002-133877中公开了一种技术,能够改变擦除大小以在存储单元中部分地擦除数据,并能够缩短从较大区域擦除数据的时间周期。若当将要存取的存储卡中的快闪存储器的写入单位和擦除单位变化(例如,擦除单位的字组大小变大)时没有进行测量,则主机不能存取该存储卡。通过在存储卡中嵌入转换控制器能够解决上述的问题。但是,如果快闪存储器的内部状态保持为主机指示的状态,则每次主机对快闪存储器执行写入存取和擦除存取时, 数据都需要以擦除单位重写在该快闪存储器上。因此明显增加了写入和擦除的内部操作的负本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统,包括:非易失性半导体存储器,其包括多个块,每个块具有多个页,其中数据在块的单位中是可擦除的;M个输入/输出端子,用于从/到所述存储器系统的外部输入/输出命令、地址和数据,其中M是大于1的自然数;以及准备好/忙端子,用于将所述存储器系统的内部状态通知所述存储器系统的外部,所述存储器系统被配置为执行如下处理:在一个写入操作中,经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的第一命令,在俘获所述第一命令之后经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的第一地址,在俘获所述第一命令之后经由所述M个输入/输出端子俘获具有M位宽度的数据,以及在俘获所述第一地址之后经由所述M个输入/输出端子俘...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:助川博
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:JP

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