【技术实现步骤摘要】
这里描述的实施方式涉及存储器管理装置、信息处理装置及存储器管理方法。
技术介绍
例如，提出有下述方法在将非易失性半导体存储器和易失性半导体存储器用作为主存储器的情况下，根据数据属性，将数据的配置区域确定为非易失性半导体存储器或确定为易失性半导体存储器(例如，参照特开2008-242944号公报等)。作为非易失性半导体存储器的一例，例如提出有NAND型闪速存储器等。作为易失性半导体存储器的一例，例如提出有DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器)等。在此，在向NAND型闪速存储器等非易失性半导体存储器的数据写入工作中，存在 “覆写方式”和“追记方式”。所谓“覆写方式”，是将不可覆写的NAND型闪速存储器虚拟地看作为可以覆写的方式。在该方式中，在更新了擦除块的任意位置的数据的情况下，需要在从该擦除块暂时保存全部数据而对块实施擦除处理之后，再次以块为单位写入更新后的数据。另一方面，在“追记方式”中，进行以页为单位的数据写入。在该方式中，在更新了数据的情况下，对该数据所在的块页附加标记(无效数据)，并将更新后的数据配置于其他块...
【技术保护点】
１．一种对具备非易失性半导体存储器和易失性半导体存储器的主存储器进行管理的存储器管理装置，包括：分配部，其在向前述非易失性半导体存储器的数据写入工作时，关于写入对象数据，基于关于该数据的通过数据属性所确定的写入频率的信息，进行前述非易失性半导体存储器上的写入区域的分配；以及控制部，其将前述所分配的数据通过追记方式写入于前述非易失性半导体存储器。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫川雅纪，国松敦，大轮勤，西野玲奈，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP
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