一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法技术

本发明专利技术涉及闪烁晶体材料的制备，公开了一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，首先，以无水乙醇为球磨介质，将Bi2O3和SiO2按摩尔比1∶1.5～1∶2球磨5小时，作为反应原料，然后将烘干的反应原料与KCl以质量比1∶4～4∶1在研钵中手磨30min；再将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，770℃～850℃条件下保温0.5～3小时，取出，冷却；最后将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Bi4Si3O12粉体，本发明专利技术可以简单快速制备出闪烁Bi4Si3O12粉体，且产物纯度高，便于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪烁晶体材料的制备，公开了。
技术介绍
Bi4Si3O12晶体主要具有闪烁功能，它在可见光和近红外区域是透明的，其响应速度比目前广泛应用的闪烁体Bi4Ge3O12快3倍，在66^eV(37Cs)处的半宽度(FWHM)能量分辨率是Bi4Ge3O12的32%，在发射峰460nm处抗60Co γ射线辐射的性能大于105rad，辐射硬度比Bi4Ge3O12高一个数量级。高度的机械和化学稳定性、优良的发光特性以及低成本优势使得Bi4Si3O12晶体成为有发展前途的闪烁体之一。在某些方面可以代替Bi4Ge3O12，例如高能正负电子存储循环探测器中的量能器。另外，Bi4Si3O12晶体还具有电光、热致发光等性能。尽管人们认识闪铋矿(Bi4Si3O12)已经有180多年了，但是直到1971年 Philipsborn等才利用提拉法生长出Bi4Si3O12单晶。由于该方法的许多优点，提拉法一直是国内外生长BSO单晶的主要方法。另一种较常用的是坩埚下降法，通过延长钼坩埚熔炼时间和适当降低晶体生长炉温，明显降低了钼包裹体等缺陷，最终获得了优良单晶。1998年 L. Armelao等用溶胶-凝本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用熔盐法制备闪烁硅酸铋粉体的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，以无水乙醇为球磨介质，将Ｂｉ２Ｏ３和ＳｉＯ２按摩尔比１∶１．５～１∶２球磨５小时，作为反应原料；第二步，将烘干的反应原料与ＫＣｌ以质量比１∶４～４∶１在研钵中手磨３０ｍｉｎ；第三步，将配合料放入氧化铝坩埚中，然后将坩埚放入马弗炉中，７７０℃～８５０℃条件下保温０．５～３小时，取出，冷却至室温；第四步，将冷却的试样在超声波中用去离子水清洗后烘干，即得闪烁Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２粉体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王秀峰，鲁俊雀，江红涛，许亚琴，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：87