一种温度补偿型片式多层陶瓷电容器的制备方法技术

技术编号:7120103 阅读:268 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种片式多层陶瓷电容器的制备方法,主要由瓷浆制备、流延介质膜片、交替叠印内电极和介质层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成,在瓷浆制备中,所用的瓷料是CaZrO3和SrTiO3瓷料,CaZrO3与SrTiO3的重量比是1:(1.5~3);所述的排胶最高温度是270~290℃;所述的烧结最高温度是1270~1300℃,烧结保温时间2-3小时,本发明专利技术大大降低了生产成本,同时可实现镍贱金属电极的温度补偿型多层化陶瓷电容器的制备。该电容很适合用于汽车电子、照明电子等我国新兴产业领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷电容器的制备方法,更具体地说,本专利技术涉及一种用镍作为内电极的片式多层陶瓷电容器的制备方法。
技术介绍
片式多层陶瓷电容器(MLCC)是一种新型电子元器件,大量用于通讯、计算机、家用电器等消费类电子整机的表面贴装中。随着全球表面安装技术的迅速发展,表面安装组件的产量迅速上升,MLCC需求不断上升。目前国内外温度补偿型多层片式瓷介电容器(MLCC) 全部采用贵金属Ag/Pd材料为内电极,对于一些质量要求高的产品甚至采用全Pd内电极, 而端电极则是Ag,这样必然导致生产成本过高的问题。Ag/Pd体系的MLCC产品在空气气氛中烧结,此技术发展时间较长,工艺较为成熟,国内外这方面的经验十分丰富。但Ag/Pd体系的MLCC产品存在许多不足,主要表现在以下几方面采用贵金属Pd/Ag作内电极及贵金属Ag作端电极,由于现在Pd资源不断匮乏,市场价格也在不断攀高,导致产品制作成本提尚ο
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供了一种生产成本低的镍内电极的片式多层陶瓷电容器的制备方法。本专利技术的技术方案是这样实现的一种片式多层陶瓷电容器的制备方法,主要由瓷浆制备、流延介质膜片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式多层陶瓷电容器的制备方法,主要由瓷浆制备、流延介质膜片、交替叠印内电极和介质层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成,所述的交替叠印内电极和介质层工序中,内电极材料是镍Ni,所述的封端工序中,端电极材料是铜Cu,其特征在于:在瓷浆制备中,所用的瓷料是CaZrO3和SrTiO3瓷料,CaZrO3与SrTiO3的重量比是1:(1.5~3);所述的排胶最高温度是270~290℃,排胶时间是57~60小时;所述的烧结最高温度是1270~1300℃,烧结保温时间2-3小时,当烧结时从室温到1000℃升温速率为3-4℃/min,1000℃至最高温的升温速率控制在2-2.5℃/min...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:祝忠勇陆亨宋子峰
申请(专利权)人:广东风华高新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1