电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。本发明专利技术的实施方式涉及的集成装置具备：基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；有源元件，形成在上述有源区域中；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。

【技术实现步骤摘要】

本文中所描述的实施方式通常涉及电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。
技术介绍
在半导体制造工艺中，在半导体基板上进行成膜或光刻蚀、杂质注入等来形成晶体管、二极管等有源元件或电阻、电容等无源元件。在日本特开2008-244403号公报中公开了一种不增大MOS型电容器的面积而能够增大MOS型电容器的电容的半导体装置及其制造方法。在此，在包括 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor :互补金属氧化物半导体)晶体管在内的半导体制造工艺中，在有源区域中形成CMOS晶体管等有源元件。 另一方面，在半导体制造工艺中，在与有源区域不同的位置上设定伪有源区域，该伪有源区域不发挥有源元件的作用，在对该伪有源区域实施与有源区域相同的工艺的、包括CMOS晶体管的半导体制造工艺中，在基板上的有源区域以外的区域中，按照规定比例设置有伪有源区域。这样，在对有源区域和伪有源区域之上所形成的绝缘膜等平整化时，实现压力的均勻化。有源区域和伪有源区域都是在半导体中注入了杂质的导电性区域。此外，有源区域和伪有源区域通过基板进行连接。在此，在有源区域以外的区域中配置电容器的情况下， 为了使其难以受到在有源区域中进行处理的信号的影响，避开伪有源区域之上来配置电容器。从而，很难在有限面积的基板上得到电容器的足够的电容密度。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。实施方式涉及的电容器具备基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含与形成有源元件的有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。其他实施方式涉及的集成装置具备基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含有源区域和与上述有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；有源元件，形成在上述有源区域中；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。其他实施方式涉及的高频转换装置具备基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含第一有源区域、第二有源区域以及与上述第一有源区域和上述第二有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；高频转换电路，设置在上述基板的上述第一有源区域中；控制电路，设置在上述基板的上述第二有源区域中，控制上述高频转换电路；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。其他实施方式涉及的电子设备在壳体中具备上述高频转换装置。根据本专利技术的实施方式，提供一种能够在抑制有源元件中处理的信号的影响的同时得到足够的电容密度的电容器、集成装置、高频转换装置及电子设备。附图说明图1是说明第一实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。图2是说明比较例涉及的电容器的结构例的模式图。图3是对信号的影响进行比较的模式图。图4是说明第二实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。图5是说明第三实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。图6是说明第四实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。图7是说明第五实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。图8是说明第六实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。图9是说明在同层中相邻电极间的电压的极性的模式图。图10是说明第七实施方式涉及的集成装置的结构例的电路图。图11是说明第七实施方式涉及的集成装置的配置例的框图。图12是从图11中的A-A'线箭头方向看的模式剖视图。图13是说明第八实施方式涉及的电子设备的结构例的模式立体图。具体实施例方式以下，基于附图说明本专利技术的实施方式。再有，附图是模式或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、各部分间的大小的比率系数等不一定与现实的相同。此外，即使在表示相同部分时，也有时通过附图将相互的尺寸或比率系数不同地表现。此外，在本说明书和各图中，关于已出现过的附图，对与前述的附图相同的要素标记相同的符号，并适当地省略详细的说明。(第一实施方式)图1是说明第一实施方式涉及的电容器的结构例的模式图。该图(a)是电容器的模式剖视图。此外，该图(b)是电容器的模式平面图。如图1所示，第一实施方式涉及的电容器110具备基板10、第一电极31、第二电极 32和第一电介质部40。基板10具有在例如所谓的SOI (Silicon On Insulator 绝缘体上硅薄膜)或 SOS (Silicon On Sapphire 蓝宝石上硅薄膜)这样的绝缘性材料之上形成有半导体层13 的结构。在图1中例示的基板10中使用了 S0I。即，基板10具有形成在硅基板等支撑基板11之上的绝缘层12和设置在绝缘层12之上的半导体层13。作为绝缘层12，例如使用氧化硅。作为半导体层13，例如使用硅。再有，在SOS中，蓝宝石起支撑基板11和绝缘层12两者的作用。此外，在基板10的半导体层13中设置有伪有源区域20。伪有源区域20是基板 10的半导体层13的一部分区域。半导体层13大致划分具有在半导体中注入了杂质而成的导电性区域和分离导电性区域的分离区域。在导电性区域中有形成晶体管或二极管等有源元件的有源区域、和不发挥有源元件作用的伪有源区域20。对伪有源区域20施行与有源区域大致相同的制造工艺。在基板10中，在有源区域以外的区域中，按照规定比例配置伪有源区域20。若按照规定比例配置伪有源区域20，则能在对基板10之上所形成的各种膜进行平整化时，使施加到基板10上的压力均勻化。即，伪有源区域20作为对基板10上所形成的膜进行平整化时的基底，具有与有源区域同程度的硬度。伪有源区域20通过分离区域22与有源区域电气性分离。作为分离区域22，例如使用STI (Shallow Trench Isolation 浅槽隔离)。分离区域22从半导体层13的表面达到绝缘层12。这样，伪有源区域20与有源区域电气性分离。第一电极31和第二电极32相对置地配置在伪有源区域20之上。作为第一电极 31和第二电极32，使用具有导电性的例如多结晶硅(多晶硅)。再有，作为第一电极31和第二电极32，除多晶硅以外，也可以使用金属膜。第一电极31和第二电极32分别沿着半导体层13的主面13a延伸地设置。图1 中例示的第一电极31和第二电极32沿着半导体层13的主面13a设置成矩形形状。与半导体层13的主面13a之间隔有规定间隔地配置第一电极31。与第一电极31之间隔有规定间隔地配置第二电极32。在第一电极31与第二电极32之间设置有第一电介质部40。作为第一电介质部 40，例如使用氧化硅。图1中例示的第一电介质部40，除了在第一电极31和第二电极32之间以外，还设置在基板10之上所形成的各膜之间。即，在本例中，第一电介质部40还发挥层间绝缘膜的作用。再有，第一电介质部40也可以与其他层间膜相独立地设置。在本实施方式涉及的电容器110中，利用第一电极31和第二电极32、以及配置在它们之间的第一电介质部40，形成累积电荷的结构体CS。 在本实施方式涉及的电容器110中，在伪有本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种电容器，其特征在于，具备：基板，具有绝缘层和半导体层，所述半导体层设置在上述绝缘层之上，包含与形成有源元件的有源区域电气性分离地设置的伪有源区域；第一电极和第二电极，相互对置地配置在上述伪有源区域之上；以及第一电介质部，设置在上述第一电极与上述第二电极之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：清水俊之，杉浦政幸，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP