一种低充高保IC塑封工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种低充高保IC塑封工艺方法，其具体方法步骤为：1)注塑充模阶段：把粘合了芯片并键合了金线的引线框放入型腔镶块平面上，上下模型腔闭合，对模具型腔加热到165℃左右，上下模料腔内的塑料熔融，液压注塑头施压对熔融塑料进行低速注塑，充满型腔；2)固化保压阶段：对模具型腔升高压力，并保持对熔融塑料施加高压，在高压状态下，熔融塑料固化成型；3)冷却脱模阶段；本发明专利技术可以降低内应力，高保压力下固化塑封体的密度提高，可以提高密封效果，减少湿气渗入的几率，提高产品使用寿命；较高的压应力状态下固化，在一定程度上避免了引线断裂、脱焊的可能性，高保压方法形成的低应力效果比单纯降低塑料线胀系数方法好。

【技术实现步骤摘要】
一种低充高保IC塑封工艺方法本专利技术涉及半导体器件及其集成电路的封装工艺
，具体地是一种低充高保IC塑封工艺方法。随着IC技术的飞速发展，对产品可靠性和使用寿命方面的要求不断提高。新的材料、新的结构和新的工艺技术的引入使得芯片的集成度不断提高，封装尺寸不断缩小，由各种应力引起的可靠性问题影响逐渐增加。环氧树脂(EP)是目前IC塑封的主要材料，塑封料对半导体硅片、引线框和引线的包封，可以起到保护IC产品的作用。但是，塑封料和IC结构的紧密接触，存在相互间的作用力，这种作用力有时会对产品的可靠性、合格率以及使用寿命造成较大的影响。以硅片为例，由于塑封料和硅的线性热膨胀系数相差一个数量级(塑封料 25 X 10-6 0C -1，硅 ^ 2. 3X 10-60C -1)，当温度变化时，它们的尺寸变化相差会较大。例如，对角线为Icm的芯片，温度每变化l°c，芯片对角线的长度可变化2. 3X10-2 μ m ；变化100°C，长度可变化 2. 3 μ m。而同样长度的塑封料每变化1°C，其长度将变化25 X 10-2 μ m ；温度变化100°C，其长度将变化25 μ m。如果塑封料与芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种低充高保ＩＣ塑封工艺方法，其具体方法步骤为：１）、注塑充模阶段：所采用的模具具有型腔镶块、流道浇口镶块、上下模料腔板、液压注塑头，把粘合了芯片并键合了金线的引线框放入型腔镶块平面上，上下模型腔闭合，对模具型腔加热到１６５℃左右，上下模料腔内的塑料熔融，液压注塑头施压对熔融塑料进行低速注塑，充满型腔；２）、固化保压阶段：对模具型腔升高压力，并保持对熔融塑料施加高压，在高压状态下，熔融塑料固化成型；３）、冷却脱模阶段：对模具型腔进行快速冷却，然后脱模。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹阳根，廖秋慧，曹雨楠，阮勤超，张霞，唐佳，黄晨，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：31