硅基基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种硅基基板及其制作方法，硅基基板包括硅晶片、第一线路基板及第二线路基板。硅晶片具有相对的第一表面与第二表面，并具有硅穿孔。第一线路基板置于第一表面，由多层第一介电层及多层第一导电线路层交替叠合而成。第二线路基板置于第二表面，由多层第二介电层及多层第二导电线路层交替叠合而成。硅穿孔分别电连接第一线路基板中位于最下层的第一导电线路层与第二线路基板中位于最上层的第二导电线路层。第一导电线路层的布线密度大于第二导电线路层的布线密度，或第一介电层包括无机材料且第二介电层包括有机材料。本发明专利技术还涉及此硅基基板的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅基基板，且特别是涉及一种具有非对称结构的。
技术介绍
目前，现有硅基基板(silicon based substrate)通常是遵循传统线路基板的对称设计准则进行设计制作，因而为对称(symmetric)结构。也就是说，现有硅基基板的硅基材的相对两侧的堆叠线路结构与介电层材料是大致相同的。一般在硅基基板应用于电子产品的实际使用过程中，硅基材一侧的堆叠线路结构用于与电子元件电连接，另一侧的堆叠线路结构用于封装时与电路板电连接。随着电子产品功能日趋多样化，硅基基板的布线密度也趋向高密度化发展。如果按照传统线路基板的对称设计准则，不仅硅基材一侧用于与电子元件电连接的堆叠线路结构需要高密度制作， 硅基材另一测用于封装时与电路板电连接的堆叠线路结构也需要高密度制作。但是，实际上硅基材另一测用于封装时与电路板电连接的堆叠线路结构并不需要如此高的布线密度， 因此，容易造成资源浪费，导致生产成本增加。此外，实际生产中，硅基基材另一测用于封装时与电路板电连接的堆叠线路结构，是由封装厂来制作完成，而目前许多封装厂的设备和制作工艺尚无法完成过高布线密度的制作。专利
技术实现思路
有鉴于此，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅基基板，包括：硅晶片，具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，并具有至少一硅穿孔贯通该第一表面与该第二表面；第一线路基板，设置于该硅晶片的该第一表面，该第一线路基板包括多层第一介电层以及多层第一导电线路层交替叠合而成；以及第二线路基板，设置于该硅晶片的该第二表面，该第二线路基板包括多层第二介电层以及多层第二导电线路层交替叠合而成；其中，该至少一硅穿孔分别电连接该第一线路基板中位于最下层的该第一导电线路层与该第二线路基板中位于最上层的该第二导电线路层，且该些第一导电线路层的布线密度大于该些第二导电线路层的布线密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建利，郑瑞宏，
申请(专利权)人：宏宝科技股份有限公司，联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71