一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了属于太阳能电池技术领域的一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。本发明专利技术采用(100)或(111)取向单晶硅片，将清洗后的硅片直接浸入到酸性刻蚀溶液中，经短时间(2-10分钟)刻蚀后在硅表面形成纳米多孔结构，获得了较好减反射效果的陷光结构，在300～1000nm的光谱范围内的反射率降低到5％。本发明专利技术采用单步溶液法实现了硅表面的微刻蚀，简化了贵金属辅助化学刻蚀硅的工艺过程，同时保持常温湿法刻蚀的特征，获得硅表面的更高减反射效果，为提高硅基太阳能电池的效率提供新的技术手段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，涉及在太阳能电池结构中的。具体涉及硅表面减反射陷光结构制备工艺的单步溶液法制备技术。
技术介绍
降低成本和提高转换效率是太阳电池研究的重点方向。硅太阳能电池由于原料来源广泛，成本较低，占据着太阳能电池市场的主导地位。减少电池受光面上入射阳光的反射是提高太阳能电池的光电转换效率的手段之一。通过贵金属辅助刻蚀的方法在硅表面制备减反射结构能够有效减少入射光的反射损失。通常情况下贵金属辅助刻蚀一般分为两步， 首先利用电镀、化学镀、蒸镀或自组装等手段在硅片表面沉积一层纳米级或亚微米级厚度的均勻分布、非连续的贵金属粒子层，接着在含HF的溶液中刻蚀硅。这种技术虽然可重复性好，但由于贵金属粒子层的沉积较为复杂，实际应用中还存在一些问题，因此，开发更为简单、高效的贵金属纳米粒子催化刻蚀硅制备表面减反射陷光结构的技术具有现实的应用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种硅表面减反射结构的简易制备方法，利用贵金属纳米粒子催化刻蚀的特性，采用单步溶液法(不需要提前在硅表面沉积贵金属纳米粒子)实现了硅表面纳米多孔减反射结构的制备。，该方法包括如下步骤a.清洗硅片b.单步本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：ａ．清洗硅片；ｂ．单步溶液法刻蚀：将清洗后的硅片直接浸入酸性刻蚀液中，刻蚀出硅表面纳米多孔减反射结构，所述酸性刻蚀液为ＡｇＮＯ３、ＨＦ、Ｈ２Ｏ２和水组成的混合溶液，其中ＡｇＮＯ３的浓度为１０－４～５×１０－４ｍｏｌ／Ｌ，ＨＦ的浓度为１～２ｍｏｌ／Ｌ，Ｈ２Ｏ２的浓度为２．５～３ｍｏｌ／Ｌ；ｃ．硅片后处理：将硅片用硝酸浸泡，去除残留在硅表面的银，然后用去离子水或超纯水冲洗干净，真空干燥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李美成，任霄峰，白帆，宋丹丹，姜冰，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：11