激光切割薄片以及芯片体的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于，防止在激光切割中发生激光将切割片切断、损伤卡盘(chuck?table)、以及使切割片熔接于卡盘上的情况。本发明专利技术的激光切割片由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯构成的基体和形成于其一面上的粘接剂层构成。

【技术实现步骤摘要】
技术区域本专利技术涉及用激光对工件进行切割形成芯片时适合固定工件的目的使用的激光切割片、以及使用该激光切割片恰当地进行的芯片体的制造方法。
技术介绍
激光切割有时候也能够切割用刀片切割方法难以切割的工件，近年来很引人注目。本申请人公开了使用于这样的激光切割的激光切割片的一个例子(专利文献1)。在激光切割中，对固定于切割片上的工件扫描激光，将工件切断(dicing)。这时激光的焦点如下所述移动。即从没有贴着工件的切割片的表面(工件的外缘部)加速，以一定的速度扫描工件的表面，在工件的另一外缘部减速、停止。其后行进方向反向，加速后，对工件表面进行扫描，再度减速，停止，反向。从而，在激光焦点的移动中的加速、减速时，对没有贴着工件的切割片的端部直接照射激光。这时，会发生激光透过切割片，损伤卡盘(chuck table)的问题。而且会发生与被激光加热的卡盘接触的切割片的面熔接于卡盘上的问题。为了避免发生这些问题，使用了采用厚切割片，加大工件与卡盘表面的距离的方法(专利文献2)。在这种方法中，基体采用可延展性薄膜和保护膜的双层结构，以此维持切割片的厚度。在激光切割时，使用具有一定厚度的基体，因此达到卡盘的激光不能够实现聚焦，因此能量密度低，所以不至于损伤卡盘。而且上述切割片的熔化问题也不会发生。激光切割结束后将构成基体的保护膜剥离后，进行扩展和拣选芯片。但是在激光切割结束之后有必要剥离基体的构成层之一，工序变得烦杂。而且在激光切割时有利用激光切割扩展膜的情况，也有不进行扩展的情况。又，在专利文献3，公开了在将氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethane acrylate)系低聚体等固化性树脂制造成薄膜并使其固化得到的基体上设置粘接剂层形成的切割片。但是在专利文献3中，有使用于刀片切割的企图，没有认识到如上所述的激光切割特有的课题。将氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethane acrylate)系低聚体制膜并固化得到的薄膜，其交联密度高，因此可以预期即使是受到激光的直接照射，薄膜受到的损伤也比较轻微。而且扩展性能也好，因此在切割之后扩展，也容易拉开芯片的间隔。因此研究出作为如上所述的激光切割的基体，可以使用这样的薄膜。但是，专利文献3所述的薄膜虽然扩展性优异，但具有在扩展之后保持此状态而不容易复原的性质。也就是说，将这样的薄膜作为切割片的基体使用的情况下，有可能出现如下所述的问题。通常在扩展工序之后拣选芯片后，切割片在张设在环形框架上的状态下被回收容纳于回收盒中。回收后去除切割片，环形框架经过洗净工序等再度使用。由于借助于扩展使切割片拉伸，因此切割片处于从环形框架上下垂的状态。在该状态下下垂的切割片与回收于回收盒中的其他环形框架或切割片接触，因此回收盒不能够顺利地将其回收于其中。这样的结果是，采用专利文献3记载的薄膜的切割片还不能够实现，毕竟也没有作为激光切割片使用。专利文献1 特开2002-343747号公报专利文献2 特开2006-245487号公报专利文献3 特开2002-141306号公报
技术实现思路
专利技术解决的技术问题本专利技术是为解决伴随上述那样的已有技术发生的问题而作出的。也就是说，本专利技术的目的在于，提供能够防止在激光切割中发生激光将切割片切断、损伤卡盘、以及使切割片熔接于卡盘上的情况发生的激光切割片、以及用使用该激光切割片的激光切割方法制造芯片体的制造方法。而且本专利技术的目的在于，改善使用在激光切割中可望有优异的性质的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯薄膜的基体在扩展后的形状复原性能。解决技术问题的手段以解决这样的存在问题为目的的本专利技术的要旨如下所述。(1) 一种激光切割片(dicing sheet)，由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯构成的基体和形成于其一面上的粘接剂层构成。(2)根据⑴所述的激光切割片，构成基体的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是对包含能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethane acrylate)系低聚体和能量射线固化性单体的混合物照射能量射线得到的固化物。(3)根据⑵所述的激光切割片，能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体是聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体。(4)根据(3)所述的激光切割片，聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的醚结合部是亚烷氧基(alkyleneoxy基)(即-(-R-O-)n-，其中R为亚烷基，η为2 200的整数)。(5)根据(4)所述的激光切割片，亚烷氧基(-(-R-O-)n-)的亚烷基(alkylene基) R是碳数为1 6的亚烷基。(6)根据(5)所述的激光切割片，亚烷氧基(-(-R-O-)n-)的亚烷基R是亚乙基 (ethylene)、亚丙基(propylene)、亚丁基(butylene)、或四亚甲基(tetramethylene)。(7)根据(1)所述的激光切割片，构成基体的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每 100重量％的该聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，包含30 70重量％的能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethane acrylate)系低聚体单元，而且每100重量％该能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体含有35 95重量％的作为结构单元的亚乙氧基 (ethyleneoxy 基)。(8)根据(7)所述的激光切割片，所述基体拉伸50%之后的畸变复原率为80 100%。(9) 一种芯片体的制造方法，在(1) (6)中的任一项所述的激光切割片的粘接剂层上粘贴工件，利用激光将工件切割成一片一片制作芯片。 (10) 一种芯片体制造方法，在(7)或(8)所述的激光切割片的粘接剂层上粘贴工件， 利用激光将工件切割成一片一片制作芯片， 使切割片扩展以加大芯片间隔， 拣选芯片。 专利技术的技术效果在本专利技术中，构成基体的树脂采用聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(po 1 yurethane acrylate)，因此即使是对基体照射激光，基体受到的损伤也小，不会被切断。而且基体即使没有受到损伤，透过基材到达卡盘的光量也降低。结果，能够防止在激光切割中发生激光将切割片切断、损伤卡盘、以及使切割片熔接于卡盘上，得以顺利地用激光切割进行芯片体的制造工序。此外，本专利技术中作为基片，使用含有特定比率的亚乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，从而改善了切割片扩展后的形状复原性，使环状框架的回收能够顺利进行。附图说明图1是说明在实施例中评价的“下垂量”的说明图。 具体实施例方式下面进一步对本专利技术进行具体说明。本专利技术的切割片由基体和在其上形成的粘接剂层构成。作为基体，使用以聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯为主要构成成分的树脂薄膜。最好聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯薄膜是在包含能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethane acrylate)系低聚体和能量射线固化性单体的混合物成膜后对其照射能量射线得到的固化物。能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体，是使例如聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多异氰酸酯化合物反应，使该反应得到的端基为异氰酸酯的氨基甲酸乙酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应得到的。而且能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体也可通过使多元醇化合物与具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反应得到。多元醇(polyol)化合物也可以是亚烷基二醇(alkylene diol)、聚醚型多元醇、 聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇中的任何一本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种激光切割片，其特征在于，由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯构成的基体和形成于其一面上的粘接剂层构成，构成该基体的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是对包含能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯（ｕｒｅｔｈａｎｅ　ａｃｒｙｌａｔｅ）系低聚体和能量射线固化性单体的，相对于１００质量份的能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯（ウレタンアクリレ一ト）系低聚物（オリゴマ一）含有５～９００質量份的能量射线固化性单体（モノマ一）的混合物，照射能量射线得到的固化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：若山洋司，佐藤阳辅，田矢直纪，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：JP