一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法技术

本发明专利技术涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法。该方法在传统的铝栅CMOS制作工艺的基础上进行改进，在N型衬底基片下片后先进行一次N型离子注入工艺，以增加衬底表面浓度。基片上注入的N型离子在高温炉管的推阱工艺中自动在衬底上形成N阱，从而减轻衬底浓度变化对PMOS管漏电的影响，达到改善电路静态电流失效的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补 金属氧化物半导体静态电流失效的方法。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CM0Q为电压控制的放大器件，是一种大规模应用于集 成电路芯片制造的原料。CMOS由PMOS(P型氧化物半导体)和NMOS(N型氧化物半导体)共 同构成，PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说， PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区；NMOS是 在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区。CMOS的制作工 艺通常包括N阱CMOS工艺、P阱CMOS工艺、双阱CMOS工艺。P阱CMOS工艺是在N型硅衬 底上制造P沟晶体管，在P阱中制造N沟晶体管，其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方 法形成。P阱CMOS工艺应用得最早，也是应用得最广的工艺，适用于标准CMOS电路及CMOS 与双极NPN兼容的电路。传统的2. 0 μ m及以上铝栅互补金属氧化物半导体制作工艺一般采用P阱CMOS制 作工艺，PMOS是直接制作在N型衬底上的单阱工艺，采用这种工本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法，该方法基于Ｐ阱ＣＭＯＳ制作工艺，其特征在于：在准备好用于制作铝栅ＣＭＯＳ的Ｎ型衬底基片后，先在基片上进行Ｎ型离子注入，增加衬底表面浓度，然后再进行后续的铝栅ＣＭＯＳ制作工艺步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭灿健，谭志辉，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11