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本发明涉及铝栅互补金属氧化物半导体的制作工艺，具体涉及一种改善铝栅互补金属氧化物半导体静态电流失效的方法。该方法在传统的铝栅CMOS制作工艺的基础上进行改进，在N型衬底基片下片后先进行一次N型离子注入工艺，以增加衬底表面浓度。基片上注入的N...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。