【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器
,特别涉及一种TFT阵列基板及其制造方法。
技术介绍
目前,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-IXD)以其显示品质优良、制造成本相对较低、功耗低和无辐射的特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位,其显示品质也随着制造工艺技术的进步而得到不断的提高。TFT-IXD —般由液晶面板、驱动电路及背光源组成,其中液晶面板是TFT-IXD中最重要的部分,它是在两块玻璃基板之间注入液晶,四周用封框胶封上,在两块玻璃基板上分别贴敷偏振方向相互垂直的偏振片而构成。其中,上面的玻璃基板为彩膜基板,下面的玻璃基板为TFT阵列基板,所述TFT阵列基板上面制备有大量矩阵式排列的薄膜晶体管以及一些周边电路。通常,彩膜基板上形成有黑矩阵,该黑矩阵的材料为不透明的金属膜,例如铬,该金属膜对光具有反射性。背光源的光经过TFT阵列时,有一部分光照射在所述不透明的金属膜上,发生反射后有很大一部分反射光会照射到TFT导电沟道处的半导体层。半导体层是一种光敏材料,当遇到光照 ...
【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板,包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连;其特征在于,在所述基板上形成有与所述薄膜晶体管、数据扫描线对应的遮光层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘翔,刘圣烈,薛建设,
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:11
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