TFT阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种TFT阵列基板及其制造方法，所述TFT阵列基板包括基板，以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连；在所述基板上形成有与所述薄膜晶体管、数据扫描线对应的遮光层。本发明专利技术适用于TFT阵列基板的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器
，特别涉及一种TFT阵列基板及其制造方法。
技术介绍
目前，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-IXD)以其显示品质优良、制造成本相对较低、功耗低和无辐射的特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，其显示品质也随着制造工艺技术的进步而得到不断的提高。TFT-IXD —般由液晶面板、驱动电路及背光源组成，其中液晶面板是TFT-IXD中最重要的部分，它是在两块玻璃基板之间注入液晶，四周用封框胶封上，在两块玻璃基板上分别贴敷偏振方向相互垂直的偏振片而构成。其中，上面的玻璃基板为彩膜基板，下面的玻璃基板为TFT阵列基板，所述TFT阵列基板上面制备有大量矩阵式排列的薄膜晶体管以及一些周边电路。通常，彩膜基板上形成有黑矩阵，该黑矩阵的材料为不透明的金属膜，例如铬，该金属膜对光具有反射性。背光源的光经过TFT阵列时，有一部分光照射在所述不透明的金属膜上，发生反射后有很大一部分反射光会照射到TFT导电沟道处的半导体层。半导体层是一种光敏材料，当遇到光照射时会产生暗电流，该暗电流会增加TFT关态电流，进而减少像素电荷的保持时间，影响TFT-LCD灰度等级的变化，严重时会使显示图像发生闪烁。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法，能够避免光照射至半导体层而产生暗电流。本专利技术实施例采用的技术方案为—种TFT阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、 漏极与像素电极相连；在所述基板上形成有与所述薄膜晶体管、数据扫描线对应的遮光层。一种TFT阵列基板的制造方法，包括在基板上形成遮光层；在形成遮光层的基板上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成有源薄膜图案；在形成有源薄膜图案的基板上形成薄膜晶体管的源极和漏极、与所述源极相连的数据扫描线、以及与所述漏极相连的像素电极，所述薄膜晶体管和数据扫描线与所述遮光层相对应；在形成像素电极、数据扫描线、源极和漏极的基板上沉积第二绝缘层；在沉积有第二绝缘层的基板上形成与所述有源薄膜图案对应的薄膜晶体管的栅极、以及与所述栅极相连的栅极扫描线。一种TFT阵列基板的制造方法，包括 在基板上形成薄膜晶体管的栅极、以及与栅极相连的栅极扫描线；在形成栅极和栅极扫描线的基板上沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成与所述栅极对应的有源薄膜图案；在形成有源薄膜图案的基板上形成薄膜晶体管的源极和漏极、与所述源极相连的数据扫描线、以及与所述漏极相连的像素电极；在形成像素电极、数据扫描线、源极和漏极的基板上沉积第二绝缘层；在沉积有第二绝缘层的基板上形成与薄膜晶体管、数据扫描线对应的遮光层。本专利技术实施例TFT阵列基板及其制造方法，在所述基板上形成有与所述薄膜晶体管、数据扫描线对应的遮光层，该遮光层位于TFT阵列的下方或上方，能够阻挡背光源的光照射至彩膜基板上的黑矩阵上，或者将黑矩阵反射回来的光线阻挡，从而能够防止光线经过黑矩阵的反射而照射至TFT沟道处的半导体层，进而可以避免暗电流的产生，能够保障像素电荷的保持时间，提高TFT-IXD的显示品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图Ia为本专利技术实施例一中的TFT阵列基板平面图；图Ib为本专利技术实施例一中的TFT阵列基板沿AB方向的截面图；图Ic为本专利技术实施例一中第五次光刻工艺中曝光显影后的TFT阵列基板沿AB方向的截面图；图2a为本专利技术实施例一中第一次光刻工艺后的TFT阵列基板平面图；图2b为图2a沿AB方向的截面图；图3a为本专利技术实施例一中第二次光刻工艺后的TFT阵列基板平面图；图3b为图3a沿AB方向的截面图；图4a为本专利技术实施例一中第三次光刻工艺中曝光显影后的TFT阵列基板沿AB方向的截面图；图4b为本专利技术实施例一中第三次光刻工艺中第一次刻蚀后的TFT阵列基板沿AB 方向的截面图；图4c为本专利技术实施例一中第三次光刻工艺中光刻胶灰化后的TFT阵列基板沿AB 方向的截面图；图4d为本专利技术实施例一中第三次光刻工艺后的TFT阵列基板平面图；图4e为图4d沿AB方向的截面图；图5a为本专利技术实施例一中第四次光刻工艺后的TFT阵列基板平面图；图5b为图5a沿AB方向的截面图；图6为本专利技术实施例一中TFT阵列基板的制造方法流程图；图7a为本专利技术实施例二中的TFT阵列基板平面图7b为图7a沿AB方向的截面图；图8为本专利技术实施例二中TFT阵列基板的制造方法流程9为本专利技术实施例三中的TFT阵列基板沿AB方向的截面图；图10为本专利技术实施例三中TFT阵列基板的制造方法流程图；图11为本专利技术实施例四中的TFT阵列基板沿AB方向的截面 图12为本专利技术实施例四中TFT阵列基板的制造方法流程图。图中标记1、基板；2、遮光层栅极；3、第一绝缘层；4、第一半导体层；5、半导体绝缘层；6、第二半导体层；7、欧姆接触层；8、像素电极；9、源极；10、漏极；11、第二绝缘层； 12、栅极；13、栅极扫描线；14、数据扫描线；15、过孔；16、扫描线遮光部分；17、透明导电薄膜；18、数据线金属薄膜；19、光刻胶；20、栅金属膜。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术技术方案的优点更加清楚，下面结合附图和实施例对本专利技术作详细说明。实施例一本实施例提供一种TFT阵列基板，遮光层直接形成在基板1上，栅极扫描线13和栅极12位于TFT沟道的上方。如图la、图Ib所示，所述TFT阵列基板包括基板1，以及在基板1上形成的栅极扫描线13、数据扫描线14、像素电极8和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极12与栅极扫描线13由同一层金属光刻形成且相连、源极9与数据扫描线14相连、漏极10与像素电极8 相连；在所述基板1上形成有与所述薄膜晶体管、数据扫描线14对应的遮光层。进一步的，所述遮光层形成在所述基板1上，形成所述遮光层的基板之上形成有第一绝缘层3，所述数据扫描线14、像素电极8和薄膜晶体管在所述形成有第一绝缘层3的基板1上形成；形成所述数据扫描线14、像素电极8和薄膜晶体管的基板上形成有第二绝缘层11，所述栅极12与栅极扫描线13形成在所述第二绝缘层11上，并且所述栅极12与所述薄膜晶体管的导电沟道相对应。进一步的，所述遮光层可以同时作为BM (黑矩阵)使用，从而实现将BM制作在TFT 阵列基板上，与将BM制作在彩膜基板上相比，可以降低BM宽度，提高TFT-IXD开口率。所述遮光层包括两部分遮光层栅极12和扫描线遮光部分6，所述遮光层栅极2 与所述栅极12相对应，所述扫描线遮光部分6与所述数据扫描线本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＴＦＴ阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、源极与数据扫描线相连、漏极与像素电极相连；其特征在于，在所述基板上形成有与所述薄膜晶体管、数据扫描线对应的遮光层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，刘圣烈，薛建设，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11